Texas Instruments LMG2652 650V 140mΩ GaNパワーFETハーフブリッジ
Texas Instruments LMG2652 650V 140mΩ GaNパワーFETハーフブリッジは、設計の簡素化、コンポーネント数の低減、基板面積の低減を実現しています。この簡素化は、ハーフブリッジパワーFET、ゲートドライバ、ブートストラップダイオード、ハイサイドゲートドライブレベルシフタを6mm x 8mmのQFNパッケージに統合することで行われます。ローサイド電流検出エミュレーションにより、従来の電流検出抵抗器方式よりも電力損失を低減できます。ローサイドのサーマルパッドを冷却用PCB電源グランドに接続することができます。ハイサイドGaNパワーFETは、ローサイド基準ゲートドライブピン(INH)またはハイサイド基準ゲートドライブピン(GDH)で制御できます。このハイサイドゲートドライブ信号レベルシフタは、厳しいパワースイッチング環境でも、INHピンの信号を確実にハイサイドゲートドライバに伝えます。スマートスイッチ付きGaNブートストラップ FETを使うと、ダイオードの順方向電圧降下がなく、ハイサイド電源を過充電せず、逆方向回復充電がありません。
Texas Instruments LMG2652は、小さい静止電流と高速な起動時間によって、コンバータの軽負荷効率性要件とバーストモード動作に対応しています。保護機能として、FETターンオンインターロック、低電圧ロックアウト(UVLO)、サイクルごとの電流制限、過熱シャットダウンなどを備えています。
特徴
- 650V GaNパワーFETハーフブリッジ
- 140mΩローサイドおよびハイサイドGaN FET
- 伝搬遅延時間が短い(<100ns未満)ゲートドライバを内蔵
- 広い帯域幅で高精度の電流検出エミュレーション
- ローサイド基準(INH)とハイサイド基準(GDH)のハイサイドゲートドライブピン
- ローサイド(INL)/ ハイサイド(INH)ゲートドライブインターロック
- ハイサイド(INH)ゲートドライブ信号レベルシフタ
- スマートスイッチ付きブートストラップ ダイオード機能
- ハイサイドの起動: <8µs
- ローサイド / ハイサイドのサイクル単位の過電流保護
- 温度過昇保護
- AUXアイドル静止電流: 250µA
- AUXスタンバイ静止電流: 50µA
- BSTアイドル静止電流: 70µA
- デュアルサーマルパッド付き8mm × 6mm QFNパッケージ
アプリケーション
- AC/DCアダプタと充電器
- AC/DC USB壁コンセント電源
- AC/DC補助電源
- モバイル壁かけチャージャ設計
- USB壁コンセント用電源
簡略ブロック図
公開: 2025-04-08
| 更新済み: 2025-04-17
