Texas Instruments LMG2652 650V 140mΩ GaNパワーFETハーフブリッジ

Texas Instruments LMG2652 650V 140mΩ GaNパワーFETハーフブリッジは、設計の簡素化、コンポーネント数の低減、基板面積の低減を実現しています。この簡素化は、ハーフブリッジパワーFET、ゲートドライバ、ブートストラップダイオード、ハイサイドゲートドライブレベルシフタを6mm x 8mmのQFNパッケージに統合することで行われます。ローサイド電流検出エミュレーションにより、従来の電流検出抵抗器方式よりも電力損失を低減できます。ローサイドのサーマルパッドを冷却用PCB電源グランドに接続することができます。

ハイサイドGaNパワーFETは、ローサイド基準ゲートドライブピン(INH)またはハイサイド基準ゲートドライブピン(GDH)で制御できます。このハイサイドゲートドライブ信号レベルシフタは、厳しいパワースイッチング環境でも、INHピンの信号を確実にハイサイドゲートドライバに伝えます。スマートスイッチ付きGaNブートストラップ FETを使うと、ダイオードの順方向電圧降下がなく、ハイサイド電源を過充電せず、逆方向回復充電がありません。

Texas Instruments LMG2652は、小さい静止電流と高速な起動時間によって、コンバータの軽負荷効率性要件とバーストモード動作に対応しています。保護機能として、FETターンオンインターロック、低電圧ロックアウト(UVLO)、サイクルごとの電流制限、過熱シャットダウンなどを備えています。

特徴

  • 650V GaNパワーFETハーフブリッジ
  • 140mΩローサイドおよびハイサイドGaN FET
  • 伝搬遅延時間が短い(<100ns未満)ゲートドライバを内蔵
  • 広い帯域幅で高精度の電流検出エミュレーション
  • ローサイド基準(INH)とハイサイド基準(GDH)のハイサイドゲートドライブピン
  • ローサイド(INL)/ ハイサイド(INH)ゲートドライブインターロック
  • ハイサイド(INH)ゲートドライブ信号レベルシフタ
  • スマートスイッチ付きブートストラップ ダイオード機能
  • ハイサイドの起動: <8µs
  • ローサイド / ハイサイドのサイクル単位の過電流保護
  • 温度過昇保護
  • AUXアイドル静止電流: 250µA
  • AUXスタンバイ静止電流: 50µA
  • BSTアイドル静止電流: 70µA
  • デュアルサーマルパッド付き8mm × 6mm QFNパッケージ

アプリケーション

  • AC/DCアダプタと充電器
  • AC/DC USB壁コンセント電源
  • AC/DC補助電源
  • モバイル壁かけチャージャ設計
  • USB壁コンセント用電源

簡略ブロック図

ブロック図 - Texas Instruments LMG2652 650V 140mΩ GaNパワーFETハーフブリッジ
公開: 2025-04-08 | 更新済み: 2025-04-17