Nexperia 産業アプリケーション用GaN FETs
Nexperia 産業アプリケーション用GaN FETは、電力の効率的な使用および電力変換と制御における効率性を向上します。一部のアプリケーションにとって、電力変換効率性と電力密度は市場での採用に重要となります。主要な例には、高電圧通信業界と産業インフラ業界があります。GaN FETを使用すると、全体的なシステムコストを下げるとともにさらに小型で高速、温度が上昇せず、軽量なシステムを実現できます。
特徴
- 99%以上の電力変換効率性
- ソフトスイッチング（ハイパワー密度）で最大1MHz
- ゲートドライブの設計が簡単
- 定格＋175°CのFET
- 低およびリニアEOSS
- 実質的にQrr なし
- 逆状態での最小レベルのWBG FET損失
- 0V～12Vの標準ゲートドライブ
- バイポーラボディダイオードの劣化なし
アプリケーション
- ソーラーインバータ（単相）
- サーバーとテレコムSMPS
- 産業用オートメーション(サーボドライブ)
- 産業SMPS
注目製品
Nexperia GAN041-650WSB窒化ガリウム（GaN）FET
650Vのドレインソース電圧、47.2Aのドレイン電流定格、および 41mΩ の最大抵抗が備わっています。
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Nexperia eMode GaN FET
100V～650Vの電圧範囲および優れたスイッチング性能が備わっています。
公開: 2022-02-28
| 更新済み: 2023-05-05