onsemi NVBG160N120SC1 160mΩ SiC MOSFET

Onsemi NVBG160N120SC1 160mΩ SIC MOSFETは、シリコンに比べて優れたスイッチング性能とさらに高い信頼性を実現しています。このMOSFETは、1200Vのドレイン-ソース電圧（V_DSS）と最大19.5Aのドレイン電流（I_D）を特長としています。NVBG160N120SC1 MOSFETは、低オン抵抗とコンパクトなチップサイズを提供し、低静電容量とゲート電荷を確保します。このMOSFETは、高効率、高速動作周波数、増加した電力密度、低減された電磁干渉（EMI）、および縮小されたシステムサイズを提供します。Onsemi NVBG160N120SC1 MOSFETは、AEC-Q101規格に準拠し、自動車用オンボード充電器や電気自動車（EV）/ハイブリッド車（HEV）向けのDC/DCコンバータなど、自動車アプリケーションに適した製品です。