onsemi NVHL015N065SC1シリコンカーバイド(SiC)MOSFET

onsemi NVHL015N065SC1シリコンカーバイド(SiC)MOSFETは、優れたスイッチング性能と高信頼性を実現する新技術を採用しています。このSiC MOSFETの特長は、nチャネル、高効率、動作周波数の高速化、電力密度の向上、EMIの低減、システムサイズの縮小が特徴です。NVHL015N065SC1 MOSFETは、ON抵抗が低く抑えられており、低静電容量とゲート電荷が保証されるコンパクトなチップサイズになっています。このEliteSiC MOSFETは、100% UIL試験済でAEC−Q101の認定を受けています。NVHL015N065SC1 MOSFETは、650Vドレイン−−ソース電圧および12mohm抵抗が特徴です。代表的なアプリケーションには、車載用トラクションインバータ、EV/HEV用DC/DCコンバータ、オンボード充電器があります。

特徴

  • RDS(on)=12mΩ(VGS=18V時)
  • RDS(on)=15mΩ(VGS=15V時)
  • 650Vドレイン-ソース電圧
  • 超低ゲート電荷(QG(tot)=283nC)
  • 高速スイッチングを実現する低容量(Coss=430pF)
  • 100%アバランシェおよびUIL試験済
  • AEC-Q101認定およびPPAP対応
  • ハロゲンフリー
  • RoHS準拠

アプリケーション

  • 車載用オンボード充電器
  • EV/HEV向け車載用DC/DCコンバータ
  • 車載用トラクションインバータ

寸法図

機械図面 - onsemi NVHL015N065SC1シリコンカーバイド(SiC)MOSFET
公開: 2024-02-14 | 更新済み: 2024-09-09