onsemi UF3SC高性能SiC FET (D2-PAK)

Qorvo UF3SC高性能SiC FET(7 D2-PAK-7LリードKelvinパッケージ)は、独自の「カスケード」回路構成に基づいており、優れた逆回復が特徴です。この 回路構成には、SiCMOSFETと同梱されているノーマリーオンのSiC JFETが搭載されており、通常オフのSiC FETデバイスを生成できます。UF3SC FETは、Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET、またはSiスーパージャンクションデバイスへの真の “ドロップイン置換” が可能になる、スタンダードのゲート駆動特性を備えています。これらの高性能SiC FETは、175°°Cの最高温度、43nCの低ゲート電荷、5Vの標準閾値電圧で動作します。代表的なアプリケーションには、 テレコムおよびサーバー電源、モーター駆動、誘導加熱、産業用電源などがあります。

特徴

  • 650V 30mΩおよび40mΩ; 1200V 40mΩ
  • ESD 保護および HBM クラス2
  • ドロップイン置換によるゲートドライブ特性
  • 175°C最高動作温度
  • 43nC ローゲートチャージ
  • 5V (標準閾値電圧)
  • スイッチング性能を最適化するケルビンソースピン

アプリケーション

  • テレコムとサーバ電源
  • モータドライブ
  • 誘導加熱
  • 産業用電源
  • 力率改善モジュール

パッケージ外形

View Results ( 3 ) Page
部品番号 データシート Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Pd - 電力損失 下降時間 上昇時間 標準電源切断遅延時間 ターンオン時の標準遅延時間
UF3SC065040B7S UF3SC065040B7S データシート 650 V 43 A 42 mOhms 195 W 9 ns, 12 ns 24 ns, 27 ns 45 ns, 47 ns 22 ns
UF3SC120040B7S UF3SC120040B7S データシート 1.2 kV 47 A 35 mOhms 214 W 7 ns, 8 ns 12 ns, 13 ns 47 ns 37 ns
UF3SC065030B7S UF3SC065030B7S データシート 650 V 62 A 27 mOhms 214 W 11 ns, 9 ns 26 ns, 28 ns 46 ns 23 ns
公開: 2021-05-27 | 更新済み: 2025-07-25