onsemi UF3SC高性能SiC FET (D2-PAK)
Qorvo UF3SC高性能SiC FET(7 D2-PAK-7LリードKelvinパッケージ)は、独自の「カスケード」回路構成に基づいており、優れた逆回復が特徴です。この 回路構成には、SiCMOSFETと同梱されているノーマリーオンのSiC JFETが搭載されており、通常オフのSiC FETデバイスを生成できます。UF3SC FETは、Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET、またはSiスーパージャンクションデバイスへの真の “ドロップイン置換” が可能になる、スタンダードのゲート駆動特性を備えています。これらの高性能SiC FETは、175°°Cの最高温度、43nCの低ゲート電荷、5Vの標準閾値電圧で動作します。代表的なアプリケーションには、 テレコムおよびサーバー電源、モーター駆動、誘導加熱、産業用電源などがあります。特徴
- 650V 30mΩおよび40mΩ; 1200V 40mΩ
- ESD 保護および HBM クラス2
- ドロップイン置換によるゲートドライブ特性
- 175°C最高動作温度
- 43nC ローゲートチャージ
- 5V (標準閾値電圧)
- スイッチング性能を最適化するケルビンソースピン
アプリケーション
- テレコムとサーバ電源
- モータドライブ
- 誘導加熱
- 産業用電源
- 力率改善モジュール
パッケージ外形
リソース
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| 部品番号 | データシート | Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 | Id - 連続ドレイン電流 | Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース | Pd - 電力損失 | 下降時間 | 上昇時間 | 標準電源切断遅延時間 | ターンオン時の標準遅延時間 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| UF3SC065040B7S | ![]() |
650 V | 43 A | 42 mOhms | 195 W | 9 ns, 12 ns | 24 ns, 27 ns | 45 ns, 47 ns | 22 ns |
| UF3SC120040B7S | ![]() |
1.2 kV | 47 A | 35 mOhms | 214 W | 7 ns, 8 ns | 12 ns, 13 ns | 47 ns | 37 ns |
| UF3SC065030B7S | ![]() |
650 V | 62 A | 27 mOhms | 214 W | 11 ns, 9 ns | 26 ns, 28 ns | 46 ns | 23 ns |
公開: 2021-05-27
| 更新済み: 2025-07-25

