High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

結果: 71
選択 画像 部品番号
 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
認証
トレードネーム
onsemi SiC MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO263-7
データシート
1,247在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/9MOSICFETG4TO263-7
データシート
688在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247
データシート
1,295在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 42 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247
データシート
3,300在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/23MOSICFETG4TO263-7
データシート
812在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/33MOSICFETG4TO247-4
データシート
426在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/33MOSICFETG4TO263-7
データシート
490在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/44MOSICFETG4TO263-7
データシート
764在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/33MOSICFETG4TO247-3
データシート
472在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247
データシート
589在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO220
データシート
932在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 5 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/23MOSICFETG4TO247
データシート
843在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO247-4
データシート
650在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/23MOSICFETG4TO247
データシート
593在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247
データシート
625在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/44MOSICFETG4TO247
データシート
558在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO247-3
データシート
2,130在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263
データシート
463在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO263
データシート
460在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 65 A 27 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 25 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO263-7
データシート
270在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 47 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 43 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO24
データシート
1,117在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/7MOSICFETG3TO247-4
データシート
255在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 9 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 214 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/16MOSICFETG3TO247-3
データシート
205在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 107 A 21 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 218 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247
データシート
130在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO24
データシート
686在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET