ROHM Semiconductor P02SCT3040KR-EVK-001ハーフブリッジ評価ボード
ROHM P02SCT3040KR-EVK-001ハーフブリッジ評価ボードは、1200V 55A NチャンネルSiCパワーMOSFETであるSCT3040KRの評価を目的としています。評価ボードは、ハーフブリッジ回路として知られる最も一般的な回路構成に基づいています。簡単な準備で適切な評価条件を得るために、このボードには、ドライバ回路と絶縁電源(ドライバ回路用)が装備されています。このボードには、過電流保護回路、ゲート信号保護回路なども搭載されています。
特徴
- ROHMのSCT3040KR(1200V/40mΩ/TO-247-4L)の評価用
- 回路逓倍器を変更するだけで、他のROHM SiC MOSFETの評価が可能
- TO-247-4Lパッケージに加えて、同じボードでの比較的な評価が可能になるTO-247-3L用のスルーホールあり
- 単電源(+12V動作)
- 可変レジスタ(+12V~+23V)から調整できるゲートドライブ用の内蔵絶縁電源
- 最大150Aまでの2倍パルス試験および最大500kHzまでのスイッチングに対応
- さまざまな電源トポロジ(バック/ブースト/ハーフブリッジ)との互換性あり
- ゲート駆動のための負バイアス/ゼロバイアス間でのスイッチングを実現できるジャンパピン
- 上側アームと下側アームの両方の同時ONを防止する機能とともに、過電流保護(DESAT、OCP)を搭載
関連製品
シリコン(Si)/カーボン(C)ベースの電力デバイスで、シリコンデバイスよりも高い性能が備わっています。
公開: 2019-10-11
| 更新済み: 2024-02-06