ROHM Semiconductor RS6N120BH NチャンネルパワーMOSFET
ROHM SemiconductorRS6N120BHN チャネルパワーMOSFETは、高効率動作に貢献する 、Cuクリップ構造を特徴としたコンパクトで低損失のMOSFETです。このシステムによって、パッケージ抵抗を低減しながら、 電流容量を増加します。この機能により、RS6N120BHは24V/36V/48Vの電源で動作するドライブアプリケーションに最適となっています。
特徴
- スイッチングアプリケーションに最適
- ハイパワー5mmx6mmx1mmHSOP8SCuクリップパッケージ
- 低オン抵抗とゲートチャージ容量の同時実現（トレードオフ関係）により、エネルギーロスを最小化。
- 表面実装
- 強化モード
- 無鉛メッキ
- 100% RgおよびUISテスト済み
- ハロゲンフリー、およびRoHS準拠
アプリケーション
- スイッチングアプリケーション
- サーバと基地局の電源
- 各種モーター駆動機器（産業用/コンシューマ用）
仕様
- 8x端子
- 80V のドレイン・ソース破壊電圧
- 58mV/℃ の標準破壊電圧温度係数
- ±135A の連続ドレイン電流
- ±540Aのパルスドレイン電流
- ゲート・ソース間電圧:±20V
- 33nC ~ 53nC (標準) のゲート チャージ範囲
- 1.3Ωの標準ゲート 抵抗
- 104Wの 電力損失
- 6Vのドライブ電圧
- 1.2Vの 最大順電圧
- 5µAの最大ゼロゲート電圧ドレイン電流
- 30A単一パルスアバランシェ電流
- 74mJ単一パルスアバランシェエネルギー
- 42S最小順方向転送入場率
- 標準入力容量：3420pF
- 標準出力容量：1020pF
- 35pF (標準) 静電容量逆方向転送
- 標準ターンオン遅延時間：32ns
- 標準立ち上がり時間：47ns
- 標準ターンオフ遅延時間：73ns
- 標準立ち下がり時間：35ns
- 動作温度範囲: -55°C～+150°C
内部サーキット
構造比較
公開: 2023-05-15
| 更新済み: 2023-05-19