Texas Instruments LMG34XX-BB-EVM GaNシステム評価ボード

Texas Instruments LMG34XX-BB-EVM GaNシステム評価ボードは、簡単に使用できるブレイクアウト・ボードで、同期バック・コンバータとしてLMG3410-HB-EVMなどの任意のLMG341xハーフ・ブリッジ・ボードを構成できます。この評価モジュールは、電力段、バイアス電力、ロジック回路を実現することによって、GaNデバイスのスイッチングの迅速な測定が可能になります。この評価モジュールは、十分な熱管理（強制空気、低周波数動作など）を用いて、最大8Aの出力電流を供給でき、最大動作温度を超過しないようにします。Texas Instruments LMG34XX-BB-EVMはオープンループボードであるため、過渡測定には適していません。

相補パルス幅変調信号およびオンボードで生成された対応するデッドタイムが備わっている、シングルパルス幅変調入力が必要です。プローブポイントを使用すると、主要なロジックと電力段波形を短い接地バネのオシロスコープ・プローブで測定できるようになります。

特徴

最高600Vの入力電圧で動作
ショート・グランド・スプリング・プローブがあるオシロスコープ・プローブを活用したロジックと電力段計測のための便利なプローブ・ポイント

LMG341xドーターカードのハーフブリッジ性能を評価するためのシンプルなオープンループ設計
50nsデッド・タイムが備わったPWM信号用の、単一PWMオンボード入力

必要な機器

DC電圧源
- 評価モジュールの入力を最大480Vまで供給可能
DCバイアス源
- 最大0.7Aで12V出力の能力
機能ジェネレータ
- 所望の動作範囲での調整可能な負荷サイクルと周波数が備わった0V～5V方形波出力が可能
- 50Khz～200kHzの間のスイッチング周波数が備わったLMG3410-HB-EVMおよびLMG34XX-BB-EVMの動作を推奨
オシロスコープ
- 少なくとも200MHzの動作の能力
- 正確な測定には、1GHz以上のオシロスコープと短い接地バネのプローブを推奨