Toshiba 650V & 1200V第3世代炭化ケイ素MOSFET
東芝650Vおよび1200V第3世代炭化ケイ素MOSFETは、400Vや800VなどのAC 入力 AC-DC電源などのハイパワー産業用アプリケーション、太陽光発電（PV）インバータ、無停電電源装置（UPS）用の双方向 DC-DCコンバータ用に設計されています。 SiCテクノロジーにより消費電力の削減と電力密度の改善に多大な貢献をします。 またこのテクノロジーにより、高電圧、高速スイッチング、低いオン抵抗が可能になります。信頼性が高い設計で、入力容量が低く、共通のゲート-入力電荷があり、ドレイン-ソース間オン抵抗は15mΩと低くなっています。
特徴
- 低VF
- 超低VF を実現するショットキーバリアダイオード技術を内蔵
- セル設計による高信頼性
- 低RON 、RON QGD
- RON QGD は第2世代から第3世代まで80%削減
- 競争力のあるRON QGD とスイッチング性能
- より広いVGSS 定格
- 広いVGSS 定格が設計の信頼性の向上と設計の容易化に貢献
- VGSS ：-10～25V（推奨18V）
- 偶発的なターンオンなどの誤動作の防止に貢献する低オン抵抗およびさらに高いゲート閾値電圧（Vth）
アプリケーション
- 産業モータードライブ
- バッテリ充電器
- AC-DCおよびDC-DCコンバータ
- 電力率補正訂正回路
- エネルギー貯蔵システム
- ソーラーエネルギー
- 無停電電源装置
ビデオ
性能グラフ
パッケージングと内部回路
パッケージ寸法
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Toshiba 650V & 1200V第3世代炭化ケイ素MOSFET
400Vおよび800V AC入力AC-DC電源のようなハイパワー産業用アプリケーションを対象に設計されています。
公開: 2022-07-05
| 更新済み: 2024-05-01