Toshiba 650V DTMOS-VIスーパージャンクションMOSFET
Toshiba 650V DTMOS-VIスーパージャンクションMOSFETは、スイッチング電源で動作するように設計されています。これらのNチャンネルMOSFETは、高速スイッチング特性が特徴で、容量が低く抑えられています。650V DTMOS-VIスーパージャンクションMOSFETは、標準で0.092Ω～0.175Ωとドレイン・ソース間ON抵抗低く抑えられているシリコンMOSFETです。これらのデバイスには、10Vのドレイン-ソース電圧があります。
特徴
- 低ドレインソースオン抵抗
- 高速スイッチング特性（低キャパシタンス）
- 拡張モード: Vth = 3V～4V (VDS = 10V)
仕様
- ±1µA最大ゲート漏れ電流
- 入力容量（CISS）は2250pF、1635pF、1370pF
- 3V～4V最高ゲート閾値電圧
関連製品
Toshiba DTMOSVI MOSFET
650VパワーMOSFETには、0.033Ω（typ）の低ドレイン/ソース・オン抵抗が備わっています。
DFN 8x8機械図面 (mm)
TO-220SIS機械図面 (mm)
View Results ( 7 ) Page
| 部品番号 | データシート | 説明 | Id - 連続ドレイン電流 | Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース | Qg - ゲート電荷 | Pd - 電力損失 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| TK125V65Z,LQ |  |
MOSFET MOSFET 650V 125mOhms DTMOS-VI | 24 A | 125 mOhms | 40 nC | 190 W |
| TK170V65Z,LQ | |
MOSFET MOSFET 650V 170mOhms DTMOS-VI | 18 A | 170 mOhms | 29 nC | 150 W |
| TK110N65Z,S1F | |
MOSFET MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI | 24 A | 110 mOhms | 40 nC | 190 W |
| TK155A65Z,S4X | |
MOSFET MOSFET 650V 155mOhms DTMOS-VI | 18 A | 155 mOhms | 23 nC | 40 W |
| TK190A65Z,S4X | |
MOSFET MOSFET 650V 190mOhms DTMOS-VI | 15 A | 190 mOhms | 25 nC | 40 W |
| TK110A65Z,S4X | |
MOSFET MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI | 24 A | 110 mOhms | 40 nC | 45 W |
| TK210V65Z,LQ | |
MOSFET MOSFET 650V 210mOhms DTMOS-VI | 15 A | 210 mOhms | 25 nC | 130 W |
公開: 2020-11-23
| 更新済み: 2024-11-26