Toshiba DTMOSVI MOSFET
Toshiba DTMOSVIシリーズMOSFETには、低ドレイン-ソースON抵抗 (RDS(ON)= 0.033 Ω (typ)) が備わっています。これらのデバイスには、ドレイン発信源電圧650Vがあり、ドレイン電流57Aが備わっています。DTMOSVIシリーズMOSFETには、静電容量が低いさらなる高速スイッチング特性が備わっています。これらのMOSFETは、スイッチング電源アプリケーションでの使用に最適です。
仕様
- ドレイン発信源電圧（VDSS）: 650V
- ゲート-ソース電圧（VGSS）: ±30
- ドレイン電流（DC）（ID）@ TC = 25°C: 57A
- ドレイン電流（パルス）（IDP）228A
- 電力消費（PD）: 360W
- ドレイン・ソースのオン抵抗（RDS(ON)）@ VGS = 10V、ID = 28.5A: 0.033Ω（typ）
- ゲート閾値電圧（Vth) @ VGS = 10V、ID = 2.85mA: 3V（最小）/ 4V（最大）
- 入力容量（CISS）: 6250pF
- 全ゲート電荷（Qg）@ VDD = 400V、VGS = 10V、ID = 57A: 105nC
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図面
アプリケーションノート
- バイポーラトランジスタ: 電気特性
- バイポーラトランジスタ: 最大定格
- バイポーラトランジスタ: 用語
- バイポーラトランジスタ: 熱安定性と設計
- ディスクリート半導体デバイスの温度計算
- MOSFET安全動作領域のディレーティング
- ディスクリート半導体デバイスの熱設計のヒントとコツ: パート1
- ディスクリート半導体デバイスの熱設計のヒントとコツ: パート2
- ディスクリート半導体デバイスの熱設計のヒントとコツ: パート3
- IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）
- MOSFETへのDv/dtレートの影響
- MOSFETアバランシェの堅牢性
- MOSFETゲートドライブ回路
- MOSFETの並列化（並列パワーMOSFETの間での寄生発振）
- MOSFETの自己ターンオン現象
- 寄生発振とパワーMOSFETのリンギング
- パワーMOSFET: 最大定格
Featured MOSFETs
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公開: 2018-08-22
| 更新済み: 2024-03-12