Toshiba TK095N65Z5シリコンNチャンネル（DTMOSVI）MOSFET
Toshiba TK095N65Z5シリコンNチャンネル（DTMOSVI）MOSFETは、650V、95m Ω 高速MOSFETで、TO-247パッケージに収められています。スイッチング電圧レギュレータアプリケーションでの使用を目的に設計されたTK095N65Z5には、高速回復時間（標準115ns）および低ドレイン-ソース間on抵抗（標準0.079Ω）が備わっています。このMOSFETは、高速スイッチング特性を実現しており、低静電容量が備わっています。
特徴
- 高速115ns標準逆回復時間
- 0.079Ω（Typ）の低ドレイン・ソース間オン抵抗 [RDS(ON)]
- 高速スイッチング特性（低静電容量）
- 拡張モード：Vth = 3.5V～4.5V（VDS = 10V、ID = 1.27mA）
- DTMOSⅥ世代
仕様
- 650V最高ドレイン-ソース間電圧
- ±30V最高ゲート-ソース間電圧
- ドレイン電流
- 29A最高DC
- 116A最大パルス
- 230W最大電力放電
- シングルパルスアバランシェ
- 342mJ最大エネルギー
- 最大電流: 5.8A
- 逆ドレイン電流
- 29A最高DC
- 116A最大パルス
- 4.5V最高ゲート閾値電圧
- 2,880pF標準入力容量
- 50nC標準全ゲート充電
- 3Ω標準ゲート抵抗
- 最高チャンネル温度：+150°C
- 熱抵抗
- 0.543°C/Wチャンネル対ケース
- 50°C/Wチャンネル対周囲
- 0.8Nm最大取り付けトルク
- 15.94mm x 20.95mm x 5.02mm TO-247パッケージ
パッケージと内部回路
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650VパワーMOSFETには、0.033Ω（typ）の低ドレイン/ソース・オン抵抗が備わっています。
公開: 2024-03-12
| 更新済み: 2024-04-10