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Toshiba 高電圧DTMOS VI MOSFET（TOLLパッケージに格納）

Toshiba高電圧DTMOSVI MOSFETはTOLLパッケージに収められており、低ドレインソース間ON抵抗（Rdson）および静電容量がさらに低い高速スイッチング特性が特徴です。これによっては、スイッチング電源アプリケーションに最適です。この最新世代DTMOSVIには、最低性能指数RDS（ON）xQgdが備わっており、新しいTOLLパッケージ（9.9 × 11.68 × 2.3mm）に格納されています。ターンオンおよびターンオフ損失を低減するKelvinソース接続搭載です。

特徴

  • COSSの削減
  • 最新のプロセス技術シングル・エピタキシャルプロセスのアプリケーション
  • 広範なオン抵抗とパッケージング・オプション
  • DTMOS VIによって提供される最低性能指数（RDS（ON） x QGD）
  • 領域トレードオフに対するRDS（ON）の改善
  • さらなる高温での安定したオン抵抗
  • 電源での最高レベルの効率スイッチングを目的としたDTMOS VI
  • ヒートシステムコストを削減
  • フィールド障害のコストを低減
  • 受動部品コストを低減
  • 市場投入までの時間と製品発売を加速するための簡単なデザインイン
  • 競争価格で量産市場をサポートすることに対応可能
  • さらなる高電力密度を実現

アプリケーション

  • データセンター、PVインバータ、UPS
  • スイッチドモード電源
  • 照明
  • 力率制御
  • 産業用アプリケーション

概要

Toshiba 高電圧DTMOS VI MOSFET（TOLLパッケージに格納）

関連製品

Toshiba DTMOSVI MOSFET

650VパワーMOSFETには、0.033Ω（typ）の低ドレイン/ソース・オン抵抗が備わっています。

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メリット指数の比較

Toshiba 高電圧DTMOS VI MOSFET（TOLLパッケージに格納）

その他のリソース

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部品番号 データシート 説明 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Id - 連続ドレイン電流 Qg - ゲート電荷 Pd - 電力損失
TK055U60Z1,RQ TK055U60Z1,RQ データシート MOSFET 600V DTMOS VI TOLL 55mohm 55 mOhms 40 A 65 nC 270 W
TK190U65Z,RQ TK190U65Z,RQ データシート MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ 149 mOhms 15 A 25 nC 130 W
TK110U65Z,RQ TK110U65Z,RQ データシート MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ 86 mOhms 24 A 40 nC 190 W
TK090U65Z,RQ TK090U65Z,RQ データシート MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ 70 mOhms 30 A 47 nC 230 W
TK065U65Z,RQ TK065U65Z,RQ データシート MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ 51 mOhms 38 A 62 nC 270 W
TK155U65Z,RQ TK155U65Z,RQ データシート MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ 122 mOhms 18 A 29 nC 150 W
公開: 2021-02-19 | 更新済み: 2022-03-11