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Toshiba 自動車U-MOSVIII-HパワーMOSFET

Toshiba自動車U-MOSVIII-Hは、N チャネルパワーMOSFETであり、自動車アプリケーションに最適です。   Cuコネクタを使用した独自テクノロジーにより、低オン抵抗を実現しています。  また、ゲート閾値電圧範囲を2.5V～3.5Vと狭くしており、スイッチング時間の公差範囲を狭めています。

特徴

  • 業界をリードする低ON抵抗
    • RDS (ON)= 3.0mΩ XPN3R804NC（標準）@ VGS= 10V (XPN3R804NC)
    • RDS (ON)= 6.11mΩ (最大) @ VGS= 10V (TK60S10N1L/TK60F10N1L)
    • RDS (ON)= 6.31mΩ (最大) @ VGS= 10V (TK60R10N1L)
  • ナローゲート閾値電圧範囲
    • Vth= 1.5V ~ 2.5V (ナロー: 1V範囲) (XPN3R804NC)
    • Vth= 2.5V ~ 3.5V (ナロー: 1V範囲) (TK60S10N1L/TK60F10N1L/TK60R10N1L)
  • 低い熱抵抗
    • Rth(ch-c)=0.83°C/W (最大) (TK60S10N1L)
    • Rth(ch-c)=0.73°C/W (最大) (TK60F10N1L/TK60R10N1L）
  • チャンネル温度定格: Tch= 175°C
  • 低スイッチノイズ

アプリケーション

  • DC/DCコンバータ
  • モータドライブ
  • 電源

回路例

Toshiba 自動車U-MOSVIII-HパワーMOSFET

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部品番号 データシート パッケージ/ケース Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Qg - ゲート電荷 Pd - 電力損失
XSM6K361NW,LXHF XSM6K361NW,LXHF データシート DFN-6 100 V 69 mOhms 3.2 nC 4.3 W
XSM6K519NW,LXHF XSM6K519NW,LXHF データシート DFN-6 40 V 17.8 mOhms 6.5 nC 4.3 W
TK160F10N1L,LXGQ TK160F10N1L,LXGQ データシート TO-220SM-3 100 V 2.4 mOhms 122 nC 375 W
XPN12006NC,L1XHQ XPN12006NC,L1XHQ データシート TSON-8 40 V 23.7 mOhms 23 nC 65 W
TK40S06N1L,LXHQ TK40S06N1L,LXHQ データシート DPAK-3 (TO-252-3) 60 V 10.5 mOhms 26 nC 88.2 W
TPHR9003NL1,LQ TPHR9003NL1,LQ データシート SOP-8 30 V 770 uOhms 74 nC 170 W
XPW4R10ANB,L1XHQ XPW4R10ANB,L1XHQ データシート DSOP-8 100 V 4.1 mOhms 75 nC 170 W
SSM6K819R,LXHF SSM6K819R,LXHF データシート TSOP6F 100 V 20.9 mOhms 8.5 nC 1.5 W
TPH2R306NH1,LQ TPH2R306NH1,LQ データシート SOP-8 60 V 1.9 mOhms 72 nC 170 W
TK60S10N1L,LXHQ TK60S10N1L,LXHQ データシート DPAK-3 (TO-252-3) 100 V 6.11 mOhms 60 nC 180 W
公開: 2020-04-29 | 更新済み: 2026-02-03