Toshiba XPN12006NC車載U-MOSVIII-H MOSFET
Toshiba XPN12006NC車載U-MOSVIII-H MOSFETは、AEC-Q101の認定を取得しており、コンパクトな薄型TSONパッケージに収められています。XPN12006NCは、低ドレインｰソース・オン抵抗、低漏洩電流、拡張モードが特徴です。
Toshiba XPN12006NC U-MOSVIII-HパワーMOSFETは、スイッチング電圧レギュレータ、DC-DCコンバータ、モータドライバ、車載アプリケーションに最適です。
特徴
- AEC-Q101認定
- 小型、薄型パッケージ
アプリケーション
- 車載用
- スイッチング電圧レギュレータ
- DC/DCコンバータ
- モータドライバ
仕様
- RDS(ON)=9.8mΩ（標準）（VGS=10V）低ドレイン-ソース間ON抵抗
- IDSS=10µA（最大）（VDS=60V）小漏れ電流
- Vth=1.5～2.5V（VDS=10V、ID=0.2mA）拡張モード
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内部回路
公開: 2020-09-23
| 更新済み: 2024-11-22