Toshiba SSM6N357R & SSM3K357R低オン抵抗MOSFET

SSM6N357R SSM3K357R低オン抵抗MOSFETは、シリコンNチャンネルMOSFETで、リレードライバアプリケーション向けに設計されています。SSM6N357R,LFには、2チャンネルが備わっています。またSSM3K357R,LFは、シングルチャンネルになっています。これらのMOSFETは、3Vゲート駆動電圧、内蔵内部ツェナーダイオード、レジスタ、2kVクラス人体モデル（HBM）が特徴です。この低オン抵抗MOSFETには、60Vドレイン-ソース電圧、±12Vゲート-ソース電圧、150℃チャンネル温度、12.6mJシングルパルス・アバランシェ・エネルギーが備わっています。