Vishay / Siliconix Si3493DDV 20V PチャンネルTrenchFET® Gen III MOSFET

Vishay / Siliconix Si3493DDV 20V PチャンネルTrenchFET® Gen III MOSFETは、-1.8VGSで0.05Ω(最大)の低オン抵抗があります。Si3493DDV MOSFETは、-55ºC~150ºCの動作温度で動作します。このパワーMOSFETは、単相構成TSOP-6パッケージサイズでご用意があります。Si3493DDV MOSFETは、オン抵抗定格を実現しており、広範なアプリケーションに対応しています。アプリケーションには、モバイル・デバイスでの負荷スイッチ、バッテリスイッチ、バッテリ管理があります。

特徴

  • TrenchFET® Gen III pチャンネル・パワーMOSFET
  • -1.8V VGSでRDS(ON)定格
  • 100% RgのUIS試験済

アプリケーション

  • モバイル・デバイスでのバッテリ管理
  • バッテリスイッチ
  • 負荷スイッチ
  • PAスイッチ

仕様

Vishay / Siliconix Si3493DDV 20V PチャンネルTrenchFET® Gen III MOSFET

Si3493DDVの回路図

Vishay / Siliconix Si3493DDV 20V PチャンネルTrenchFET® Gen III MOSFET
公開: 2017-06-09 | 更新済み: 2022-06-30