Vishay / Siliconix SiA433EDJ 20V P-チャンネルTrenchFET® Gen III MOSFET
Vishay / Siliconix SiA433EDJ 20V P-チャンネルTrenchFET® Gen III MOSFETは、低オン抵抗を実現しています。SiA433EDJ MOSFETは、-55ºC~150ºCの動作温度で動作します。このパワーMOSFETは単構成PowerPAK ® SC-70パッケージサイズでご用意しています。SiA433EDJ MOSFETは、オン抵抗定格で、広範なアプリケーションに対応しています。機能には、Zenerダイオード付き内蔵ESD保護が備わっています。アプリケーションには、負荷スイッチなどのポータブルデバイス、バッテリスイッチ、および充電器スイッチがあります。特徴
- TrenchFET®パワーMOSFET
- 新しい熱強化PowerPAK® SC-70パッケージ
- 小さいフットプリント
- 低オン抵抗
- 100% Rg試験済
- 内蔵ESD保護(ツェナーダイオード搭載)
- 1800V標準ESD性能
- RoHS指令2002/95/ECに準拠
アプリケーション
- ポータブル端末:
- 負荷スイッチ
- バッテリスイッチ
- 充電器スイッチ
SiA433EDJの仕様
SiA433EDJの回路図
公開: 2017-07-17
| 更新済み: 2022-06-30
