Vishay / Siliconix SiA433EDJ 20V P-チャンネルTrenchFET® Gen III MOSFET

Vishay / Siliconix SiA433EDJ 20V P-チャンネルTrenchFET® Gen III MOSFETは、低オン抵抗を実現しています。SiA433EDJ MOSFETは、-55ºC~150ºCの動作温度で動作します。このパワーMOSFETは単構成PowerPAK ® SC-70パッケージサイズでご用意しています。SiA433EDJ MOSFETは、オン抵抗定格で、広範なアプリケーションに対応しています。機能には、Zenerダイオード付き内蔵ESD保護が備わっています。アプリケーションには、負荷スイッチなどのポータブルデバイス、バッテリスイッチ、および充電器スイッチがあります。

特徴

  • TrenchFET®パワーMOSFET
  • 新しい熱強化PowerPAK® SC-70パッケージ
  • 小さいフットプリント
  • 低オン抵抗
  • 100% Rg試験済
  • 内蔵ESD保護(ツェナーダイオード搭載)
  • 1800V標準ESD性能
  • RoHS指令2002/95/ECに準拠

アプリケーション

  • ポータブル端末:
    • 負荷スイッチ
    • バッテリスイッチ
    • 充電器スイッチ

SiA433EDJの仕様

Vishay / Siliconix SiA433EDJ 20V P-チャンネルTrenchFET® Gen III MOSFET

SiA433EDJの回路図

Vishay / Siliconix SiA433EDJ 20V P-チャンネルTrenchFET® Gen III MOSFET
公開: 2017-07-17 | 更新済み: 2022-06-30