RELLパッケージに収められたWolfspeed SiC MOSFET C3Mには、小型フットプリント、低損失、TOLLパッケージの高電力損失機能が実装されており、高電力密度設計が可能になります。
特徴
- より大きな背面金属タブによって、より低いデバイス温度が実現
- 標準to-263-7Lパッケージに比べて高さとフットプリントがさらに小さくなっています。
- 標準to-263-7Lパッケージと比較して低いソースインダクタンス
- より高いスイッチング周波数アプリケーションに最適(高電力密度を可能にする)
- 最小沿面距離: 3.5mm(ドレイン-ソース)
TOLL対D2PAK
ターゲットアプリケーション
公開: 2022-10-13
| 更新済み: 2024-10-22

