Würth Elektronik ハイパワー補助ゲート・ドライブ・トランス
Würth Elektronikハイパワー補助ゲートドライブトランス (WE-AGDT) は、EP7フォームファクタが特徴で、最大6Wの電力の高速SiC MOSFETゲートドライバアプリケーション用に最適化されています。このシリーズは、最大100V/nsの定格と優れたEMI性能を備え高コモンモード過渡耐性(CMTI) を達成しています。WE-AGDTタイプEP7シリーズは、IEC 61558-2-16および62368-1安全規格に準拠した基本絶縁も満たしています。ユニポーラおよびバイポーラ出力によって、これらのトランスは、最先端のSiC MOSFETゲートドライバ、ならびにIGBT 6WおよびパワーMOSFETへの電力供給に適しています。Würth Elektronikハイパワー補助ゲートドライブトランスは、一次側安定化フライバックトポロジ用に設計されており、コンパクトで信頼性の高いソリューションです。特徴
- 高CMTI
- フライバック一次側安定化
- 表面実装EP7フォームファクタ
- SiC MOSFETのコモン制御電圧
- 最高4kVまでの絶縁
- 安全性: IEC 62368-1/IEC 61558-2-16基本絶縁
アプリケーション
- 工業用ドライブ
- ACモータインバータ
- 電気自動車(EV)
- パワートレイン
- バッテリ充電器
- ソーラーインバータ
- データセンタ
- 無停電電源装置(UPS)
- アクティブ力率補正
- SiC MOSFET
ビデオ
アプリケーション図
公開: 2020-11-16
| 更新済み: 2025-06-02
