Würth Elektronik ハイパワー補助ゲート・ドライブ・トランス

Würth Elektronikハイパワー補助ゲートドライブトランス (WE-AGDT) は、EP7フォームファクタが特徴で、最大6Wの電力の高速SiC MOSFETゲートドライバアプリケーション用に最適化されています。このシリーズは、最大100V/nsの定格と優れたEMI性能を備え高コモンモード過渡耐性(CMTI) を達成しています。WE-AGDTタイプEP7シリーズは、IEC 61558-2-16および62368-1安全規格に準拠した基本絶縁も満たしています。ユニポーラおよびバイポーラ出力によって、これらのトランスは、最先端のSiC MOSFETゲートドライバ、ならびにIGBT 6WおよびパワーMOSFETへの電力供給に適しています。Würth Elektronikハイパワー補助ゲートドライブトランスは、一次側安定化フライバックトポロジ用に設計されており、コンパクトで信頼性の高いソリューションです。

特徴

  • 高CMTI
  • フライバック一次側安定化
  • 表面実装EP7フォームファクタ
  • SiC MOSFETのコモン制御電圧
  • 最高4kVまでの絶縁
  • 安全性: IEC 62368-1/IEC 61558-2-16基本絶縁

アプリケーション

  • 工業用ドライブ
  • ACモータインバータ
  • 電気自動車(EV)
  • パワートレイン
  • バッテリ充電器
  • ソーラーインバータ
  • データセンタ
  • 無停電電源装置(UPS)
  • アクティブ力率補正
  • SiC MOSFET

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アプリケーション図

Würth Elektronik ハイパワー補助ゲート・ドライブ・トランス
公開: 2020-11-16 | 更新済み: 2025-06-02