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BSZ018NE2LSIXT

Name: Infineon BSZ018NE2LSIXT
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSZ018NE2LSIATMA
Price: 118 JPY
Availability: Discontinued

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-BSZ018NE2LSIATMA

メーカ番号：

BSZ018NE2LSIXT

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

MOSFET N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS

ライフサイクル:

NRND:

新デザインには推奨しません。

データシート:

BSZ018NE2LSIXT データシート (PDF)

ECADモデル:

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メーカ部品番号:

BSZ018NE2LSI

梱包:

Reel, Cut Tape, MouseReel

在庫状況:

在庫

価格:

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メーカ：

Infineon Technologies

メーカ番号：

BSZ018NE2LSI

詳細：

MOSFET N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS

ライフサイクル:

製造中止: メーカーにてモデル廃止予定のため、製造中止となります。

現在のパーツと比較

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TSDSON-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	25 V
Id - 連続ドレイン電流:	153 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	1.9 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2 V
Qg - ゲート電荷:	39 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	69 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	OptiMOS
パッケージ化:	Reel
ブランド:	Infineon Technologies
構成:	Single
下降時間:	3.4 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	70 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	4.4 ns
工場パックの数量:	5000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	26 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	5.5 ns
別の部品番号:	SP000906032 BSZ018NE2LSIATMA1
単位重量:	38.760 mg

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データシート

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Product Catalogs

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コンプライアンスコード

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: マレーシア
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

20V-60V OptiMOS Power MOSFETs

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