シリコンカーバイド(SiC)パワーデバイス

ROHM Semiconductorシリコンカーバイド(SiC)パワーデバイスは、シリコン(Si)とカーボン(C)で構成されています。 シリコンパワーデバイスと比較して、SiCパワーデバイスには、10倍の絶縁破壊電界強度、3倍のバンドギャップ、3倍の熱導電性があります。 SiCパワーデバイスは、スイッチング損失も低く、ON抵抗も低くなり、温度が高くとも動作できる性能を持っています。 これらの特徴によって、電力損失が低くなり、モジュールサイズが小さくなりました。 また、設計者が使用する部品数も少なくなり、設計の複雑性をさらに削減できます。
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ROHM Semiconductor MOSFETモジュール Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD 10在庫
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MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor MOSFETモジュール 300A SiC Power Module 4在庫
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MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード RECT 1.2KV 5A RDL SIC SKY 1,277在庫
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード RECT 1.2KV 10A RDL SIC SKY 547在庫
最低: 1
複数: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード SiC, SBD 650V 20A DPAK 1,331在庫
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: 1,000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード RECT 1.2KV 20A RDL SIC SKY 891在庫
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 40A 262W SIC 80mOhm TO-247N 75在庫
最低: 1
複数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N 356在庫
最低: 1
複数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS 110在庫
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS 685在庫
最低: 1
複数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS 149在庫
最低: 1
複数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC 867在庫
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複数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N 137在庫
最低: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver 529在庫
最低: 1
複数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 8A, 2nd Gen 1,676在庫
最低: 1
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード DIODE: 6A 600V 599在庫
1,000予想2026/08/31
最低: 1
複数: 1
: 1,000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード SiC, SBD 650V 12A DPAK 476在庫
最低: 1
複数: 1
: 1,000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード AECQ 442在庫
最低: 1
複数: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Nch 1200V 95A SiC TO-247N 5在庫
450予想2026/11/25
最低: 1
複数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS 60在庫
1,350予想2026/10/28
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N 366在庫
最低: 1
複数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS 28在庫
450予想2026/07/02
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS 52在庫
3,150取寄中
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード SiC, SBD 650V 15A D2PAK 46在庫
最低: 1
複数: 1
: 1,000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 12A, 2nd Gen 89在庫
最低: 1
複数: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2