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Vishay RS07x高速リカバリ整流器
Vishay RS07x高速リカバリ整流器
04/07/2026
ガラスパッシベーション加工が施された表面実装型整流器で、最大VRRMは100V~800Vです。
Vishay S07x-M 標準回復高電圧整流器
Vishay S07x-M 標準回復高電圧整流器
04/07/2026
ガラスパッシベーション加工が施された表面実装型整流器で、最大VRRMは100V~1000Vです。
Vishay VS-HOT200C080 200A 80VパワーMOSFETモジュール
Vishay VS-HOT200C080 200A 80VパワーMOSFETモジュール
04/02/2026
このデバイスは、標準のディスクリートソリューションと比べて基板占有面積を最大15%削減します。
Vishay XFD11K XClampR® 過渡電圧サプレッサ
Vishay XFD11K XClampR® 過渡電圧サプレッサ
03/18/2026
高温環境での安定性と高い信頼性を備えた、表面実装型の双方向デバイスです。
Vishay T3KN12CA thru T3KN100CA PAR® TVS
Vishay T3KN12CA thru T3KN100CA PAR® TVS
03/18/2026
TVSs are bidirectional, 3000W peak-pulse-power devices ideal for automated placement.
Vishay 3KDFN12CA - 3KDFN100CA TVSダイオード
Vishay 3KDFN12CA - 3KDFN100CA TVSダイオード
03/02/2026
Transzorb® TVS ダイオードは、電圧スパイクからセンシティブな電子機器を保護するために設計されています。
Vishay SE45124/SE50124 高耐圧SMD整流器
Vishay SE45124/SE50124 高耐圧SMD整流器
02/17/2026
優れた放熱性と高いサージ電流耐性。
Vishay KBPE0480 SIP (Single In-Line) ブリッジ整流器
Vishay KBPE0480 SIP (Single In-Line) ブリッジ整流器
02/16/2026
低い順方向電圧降下特性。KBPパッケージ。
Vishay SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6 SMD整流器
Vishay SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6 SMD整流器
02/10/2026
標準高さ0.88mmの低プロファイルパッケージで供給。
Vishay パワー シリコンカーバイド(SiC) ショットキーダイオード
Vishay パワー シリコンカーバイド(SiC) ショットキーダイオード
02/03/2026
要求が厳しいパワーエレクトロニクスアプリケーションで極めて高い効率、優れた耐久性、信頼性を提供し。
Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02/03/2026
Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.
Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02/03/2026
Designed for demanding power conversion applications
Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
02/03/2026
Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.
Vishay VS-E7JX0x12-M3/HM3 Gen 7 FRED Pt®整流器
Vishay VS-E7JX0x12-M3/HM3 Gen 7 FRED Pt®整流器
06/03/2025
1,200V、1A、または2Aハイパーファースト整流器で、SlimSMA HV (DO-221AC)パッケージに収められています。
Vishay LVE2580E Low VF Single In-Line Bridge Rectifier
Vishay LVE2580E Low VF Single In-Line Bridge Rectifier
05/20/2025
Offers low forward voltage drop & noise with high surge current in a thin single-in-line package.
Vishay ガラス不動態化単相ブリッジ整流器
Vishay ガラス不動態化単相ブリッジ整流器
04/17/2025
モニタ、プリンタ、アダプタアプリケーションを対象としたAC/DCブリッジ全波整流に最適です。
Vishay 表面実装PAR® 過渡電圧サプレッサ
Vishay 表面実装PAR® 過渡電圧サプレッサ
04/17/2025
雷によって誘発される電圧過渡に対する敏感な電子機器保護での使用に最適です。
Vishay SxBx Surface-Mount Glass Passivated Rectifiers
Vishay SxBx Surface-Mount Glass Passivated Rectifiers
04/03/2025
Offers current ratings from 1.0A to 5.0A and peak reverse voltages ranging from 400V to 1000V.
Vishay VS-EBU15006HN4超高速ソフトリカバリダイオード
Vishay VS-EBU15006HN4超高速ソフトリカバリダイオード
03/25/2025
高周波パワーコンディショニングシステムでの損失とEMI/RFIを低減するように最適化された150Aダイオードです。
Vishay MAACPAK PressFit SiC MOSFET パワーモジュール
Vishay MAACPAK PressFit SiC MOSFET パワーモジュール
03/17/2025
中〜高周波アプリケーションにおける効率と信頼性を向上させるために設計されています。
Vishay VS-VF シングルスイッチ、シリコンカーバイド、パワーMOSFET
Vishay VS-VF シングルスイッチ、シリコンカーバイド、パワーMOSFET
03/17/2025
高性能なSiC MOSFET。高周波スイッチング用途に最適。
Vishay VGSOT ESD保護ダイオード
Vishay VGSOT ESD保護ダイオード
03/14/2025
低熱抵抗および拡張電流、電力定格が備わっており、SOT-23パッケージに収められています。
Vishay VS-SCx0BA120 SiC単相ブリッジダイオード
Vishay VS-SCx0BA120 SiC単相ブリッジダイオード
11/12/2024
さまざまなアプリケーションでの効率的な電力変換を目的とした、高性能で頑丈なコンポーネントです。
Vishay SiJK5100E NチャンネルMOSFET
Vishay SiJK5100E NチャンネルMOSFET
11/11/2024
TrenchFET® Gen VパワーMOSFETで、100Vドレイン-ソース電圧および536Wの最大電力損失が備わっています。
Vishay SiEH4800EW 80V TrenchFET® Gen IV NチャンネルMOSFET
Vishay SiEH4800EW 80V TrenchFET® Gen IV NチャンネルMOSFET
10/25/2024
PowerPAK® 8mm x 8mm BWLパッケージに収められており、0.00115Ωのオン抵抗が備わっています。
表示: 1~25/70

    RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions
    RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions
    04/24/2026
    Features components ideal for energy, industrial, and medical applications.
    Littelfuse SJx08x High-Temperature SCRs
    Littelfuse SJx08x High-Temperature SCRs
    04/24/2026
    Voltage of up to 800V, surge current capability of up to 100A, & a temperature rating of +150°C.
    Littelfuse QVx35xHx High-Temperature Alternistor TRIACs
    Littelfuse QVx35xHx High-Temperature Alternistor TRIACs
    04/24/2026
    Offers a 35A rated current and is available in TO-220AB, TO-220 isolated, and TO-263 packages.
    Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode
    Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode
    04/16/2026
    Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.
    onsemi NVBYST0D8N08XシングルNチャンネルパワーMOSFET
    onsemi NVBYST0D8N08XシングルNチャンネルパワーMOSFET
    04/14/2026
    高電圧動作向けに最適化されており、高速スイッチングや大電流のストレスに耐性あり。
    ROHM Semiconductor 高密度SiCパワーモジュール
    ROHM Semiconductor 高密度SiCパワーモジュール
    04/10/2026
    TRCDRIVE パック™、DOT-247、HSDIP20パッケージは高性能な電力変換に貢献します。
    Vishay RS07x高速リカバリ整流器
    Vishay RS07x高速リカバリ整流器
    04/07/2026
    ガラスパッシベーション加工が施された表面実装型整流器で、最大VRRMは100V~800Vです。
    iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    04/07/2026
    Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
    Vishay S07x-M 標準回復高電圧整流器
    Vishay S07x-M 標準回復高電圧整流器
    04/07/2026
    ガラスパッシベーション加工が施された表面実装型整流器で、最大VRRMは100V~1000Vです。
    onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
    onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
    04/06/2026
    高速スイッチングアプリケーション向けの低Rg設計のデュアルNチャンネルMOSFETです。
    Vishay VS-HOT200C080 200A 80VパワーMOSFETモジュール
    Vishay VS-HOT200C080 200A 80VパワーMOSFETモジュール
    04/02/2026
    このデバイスは、標準のディスクリートソリューションと比べて基板占有面積を最大15%削減します。
    Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes
    Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes
    04/02/2026
    AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.
    Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
    Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
    04/02/2026
    High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.
    Toshiba Nチャネル/PチャネルパワーMOSFET
    Toshiba Nチャネル/PチャネルパワーMOSFET
    03/31/2026
    高速スイッチング、電源管理スイッチ、DC-DCコンバータ、およびモータドライバに最適です。   
    STMicroelectronics STL059N4S8AGパワーMOSFET
    STMicroelectronics STL059N4S8AGパワーMOSFET
    03/31/2026
    Smart STripFET F8テクノロジーで設計された40V Nチャンネル拡張モード対応パワーMOSFETです。
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60VパワーMOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60VパワーMOSFET
    03/27/2026
    堅牢なパワーMOSFETテクノロジーにより、OptiMOS 5を超える優れた性能を提供します。 
    Infineon Technologies ESD保護用多目的ダイオード
    Infineon Technologies ESD保護用多目的ダイオード
    03/27/2026
    小型フットプリントで最高の保護を提供し、このダイオードは優れたESD性能を発揮します。
    Infineon Technologies NチャンネルOptiMOS™ 7 25VパワーMOSFET
    Infineon Technologies NチャンネルOptiMOS™ 7 25VパワーMOSFET
    03/27/2026
    アプリケーションに最適化された性能により、データセンター、サーバー、AIのピーク性能を実現します。
    iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    03/24/2026
    Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.
    RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifier
    RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifier
    03/24/2026
    Designed for micro-power isolated power supply applications in space-constrained environments.
    Renesas Electronics TP65B110HRU 双方向スイッチ (BDS)
    Renesas Electronics TP65B110HRU 双方向スイッチ (BDS)
    03/20/2026
    650Vおよび110mΩノーマリオフ型窒化ガリウム (GaN)。コンパクトなTOLTパッケージで供給。
    Vishay XFD11K XClampR® 過渡電圧サプレッサ
    Vishay XFD11K XClampR® 過渡電圧サプレッサ
    03/18/2026
    高温環境での安定性と高い信頼性を備えた、表面実装型の双方向デバイスです。
    Vishay T3KN12CA thru T3KN100CA PAR® TVS
    Vishay T3KN12CA thru T3KN100CA PAR® TVS
    03/18/2026
    TVSs are bidirectional, 3000W peak-pulse-power devices ideal for automated placement.
    Infineon Technologies OptiMOS™ 8パワーMOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 8パワーMOSFET
    03/17/2026
    Nチャンネル、ノーマルレベルの80Vまたは100V対応MOSFETで、非常に低いオン抵抗[RDS(ON)]を備えています。
    ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE パック™ 成形モジュール付き
    ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE パック™ 成形モジュール付き
    03/17/2026
    定格電圧1,200Vが特徴で、41.6mm × 52.5mm のパッケージに収められており、第4世代SiC MOSFETが統合されています。
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