適用されたフィルタ:
Qorvo QPD1014A GaN入力整合トランジスタ
01/20/2026
01/20/2026
15W（P3dB）、50Ω入力整合型ディスクリートGan-on-SiC HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
Qorvo QPD1011A GaN入力整合トランジスタ
01/19/2026
01/19/2026
7W（P3dB）、50Ω入力整合ディスクリート窒化ガリウム（GaN）炭化ケイ素（SiC）HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
Qorvo QPD1004A GaN入力トランジスタ整合
01/19/2026
01/19/2026
25W、50Ω入力整合型ディスクリートGaN on SiC HEMTは、50V電源レール上で30MHz～1400MHzで動作します。
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Renesas Electronics TP65B110HRU 双方向スイッチ (BDS)
03/20/2026
03/20/2026
650Vおよび110mΩノーマリオフ型窒化ガリウム (GaN)。コンパクトなTOLTパッケージで供給。
Infineon Technologies 中電圧CoolGaN™双方向スイッチ
03/17/2026
03/17/2026
これらのデバイスは、さまざまなアプリケーションでバッテリ切断スイッチとして機能するのに最適です。
EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03/05/2026
03/05/2026
Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.
EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03/05/2026
03/05/2026
Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.
EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03/05/2026
03/05/2026
Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.
Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
02/26/2026
02/26/2026
Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.
Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
02/26/2026
02/26/2026
Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.
Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs
02/26/2026
02/26/2026
Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.
Qorvo QPD1014A GaN入力整合トランジスタ
01/20/2026
01/20/2026
15W（P3dB）、50Ω入力整合型ディスクリートGan-on-SiC HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
Qorvo QPD1004A GaN入力トランジスタ整合
01/19/2026
01/19/2026
25W、50Ω入力整合型ディスクリートGaN on SiC HEMTは、50V電源レール上で30MHz～1400MHzで動作します。
Qorvo QPD1011A GaN入力整合トランジスタ
01/19/2026
01/19/2026
7W（P3dB）、50Ω入力整合ディスクリート窒化ガリウム（GaN）炭化ケイ素（SiC）HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ
12/04/2025
12/04/2025
効率性の高い電力変換アプリケーション用に設計されたEモードPowerGaNトランジスタです。
STMicroelectronics SGT070R70HTO PowerGaN e-modeトランジスタ
11/07/2025
11/07/2025
GaNテクノロジーをベースにしたトランジスタ。電力変換アプリケーションの高まるニーズに応えます。
STMicroelectronics SGT350R70GTK EモードPowerGaNトランジスタ
10/28/2025
10/28/2025
要求の厳しいアプリケーションでの効率的な電力変換を目的に最適化されたEモードPowerGaNトランジスタです。
Guerrilla RF GRFx GaN HEMT Power Transistors
08/18/2025
08/18/2025
Unmatched discrete GaN-on-SiC HEMT power transistors designed for high-performance RF applications.
Nexperia GANB1R2-040QBA ・ GANB012-040CBA GaN HEMT
07/03/2025
07/03/2025
40V、1.2mΩ または12mΩ 、双方向窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)です。
Renesas Electronics TP65H030G4Px 650V 30mΩ GaN FET
07/01/2025
07/01/2025
パッケージはTOLT、TO247、TOLLが選択でき、Gen IV Plus SuperGaN®プラットフォームを使用しています。
Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G5パワートランジスタ
05/02/2025
05/02/2025
優れた効率性が備わった高周波数で動作するように設計されており、超高速スイッチングを実現しています。
Nexperia GANB8R0-040CBA双方向GaN FET
04/14/2025
04/14/2025
40V、8.0MΩ双方向GaN HEMTは、コンパクトな1.7mm x 1.7mm WLCSPパッケージに格納されています。
MACOM GaN on SiC Transistors
11/26/2024
11/26/2024
Next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power.
表示: 1～25/40