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= ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE パック™ 成形モジュール付き
03/17/2026
03/17/2026
定格電圧1,200Vが特徴で、41.6mm × 52.5mm のパッケージに収められており、第4世代SiC MOSFETが統合されています。
ROHM Semiconductor BM2P10xJ-Z PWM-タイプDC DCコンバータIC
11/03/2025
11/03/2025
730VスイッチングMOSFET機能を内蔵し、高電圧AC電源から直接作動します。
ROHM Semiconductor 750V NチャネルSiC MOSFET
10/17/2025
10/17/2025
デバイスはスイッチング周波数をブーストし、コンデンサ、リアクタ、その他必要なコンポーネントを減少させます。
ROHM Semiconductor RD3x車載用NチャンネルパワーMOSFET
10/16/2025
10/16/2025
AEC-Q101 MOSFETは、低順方向電圧、高速リカバリ時間、高サージ能力を備えています。
ROHM Semiconductor BM3G107MUV-EVK-003評価ボード
08/27/2025
08/27/2025
BM3G107MUV GaN HEMT電力段ICの機能を評価および実証するように設計されています。
ROHM Semiconductor BM3G115MUV-EVK-003評価ボード
08/27/2025
08/27/2025
BM3G115MUV GaN HEMT パワーステージICの機能を評価・実証するために設計されています。
ROHM Semiconductor RF202LB2S超高速リカバリダイオード
08/21/2025
08/21/2025
低 VF 、かつ低スイッチング損失が特長のシリコンエピタキシャルプレーナ型超高速リカバリダイオードです。
ROHM Semiconductor RNxMFH 車載グレードPINダイオード
08/21/2025
08/21/2025
車載グレードダイオードで、超小型モールドパッケージになっており、高周波数スイッチングに適しています。
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V Nチャネル SiC パワーMOSFET
08/21/2025
08/21/2025
ドレイン・ソース間電圧 1700V（VDSS）、および連続ドレイン電流3.9A（ID）の定格SiC MOSFETです。
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40V Pチャンネル小信号MOSFET
08/19/2025
08/19/2025
ドレイン－ソース電圧-40V (VDSS)、および連続ドレイン電流±4,0A (ID) 定格MOSFETです。
ROHM Semiconductor RH7L04 60V NチャンネルパワーMOSFET
08/19/2025
08/19/2025
AEC-Q101認定を取得済で、60V VDSS 、および±40A ID 定格の車載グレードMOSFETです。
ROHM Semiconductor RH7L03 60V NチャンネルパワーMOSFET
08/19/2025
08/19/2025
60V VDSS 、および±35A ID 定格の車載グレードMOSFETで、AEC-Q101の認定を取得しています。
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA Pch -30V, パワーMOSFET
08/19/2025
08/19/2025
-30V VDSS 、および±40A ID 定格の車載グレードMOSFETで、AEC-Q101認定を取得しています。
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40V NチャンネルパワーMOSFET
08/19/2025
08/19/2025
40V VDSS 、および±12A ID 定格車載グレードMOSFETで、AEC-Q101の認定を取得しています。
ROHM Semiconductor RH7G04 40V NチャンネルパワーMOSFET
08/19/2025
08/19/2025
これらのデバイスは、AEC-Q101認定、40V VDSS 、±40A ID定格車載グレードMOSFETです。
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V PチャンネルパワーMOSFET
08/19/2025
08/19/2025
-60V VDSS 、および±36A ID 定格車載グレードMOSFETで、AEC-Q101の認定を取得しています。
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100V NチャンネルパワーMOSFET
08/19/2025
08/19/2025
100V VDSS 、および±40A ID 定格の車載グレードMOSFETで、AEC-Q101認定を取得しています。
ROHM Semiconductor BR25G-5 SPI BUS EEPROM
08/19/2025
08/19/2025
これらのデバイスは、SPI BUSインターフェイスの16KビットシリアルEEPROMで、書き換え回数400万回を実現しています。
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NXP Semiconductors PF0300 Power Management Integrated Circuit (PMIC)
06/25/2026
06/25/2026
This device integrates multiple high-performance buck regulators and an LDO regulator.
NXP Semiconductors PF51x3 Multi-Channel PMICs
06/25/2026
06/25/2026
These devices are a great companion and fit for various system-level power requirements.
Microchip Technology PIC16F13256/76 28/40-Pin Microcontrollers
06/25/2026
06/25/2026
Integrates low-power operation, configurable logic, and rugged security features.
Infineon Technologies REF_WATERPUMP_SIP リファレンスデザイン
06/24/2026
06/24/2026
150W BLDC ウォーターポンプ向け、MOTIX™ MCU SiP ソリューションを統合したリファレンスデザイン。
Infineon Technologies REF_MINI_CMFRT_SIP リファレンスデザイン
06/24/2026
06/24/2026
MOTIX™ MCU SiP を統合したコンパクトな車載 BLDC モータ制御リファレンスデザイン
Lattice Semiconductor CertusPro-NXシステムオンモジュール（SoM）ボード
06/24/2026
06/24/2026
MIPI、PCIe、Raspberry PiCM5をサポートするFPGA組み込み型ビジョンとAIプラットフォーム。
Quectel LS550G (00) GNSS Modules
06/23/2026
06/23/2026
Supports concurrent reception of GPS, GLONASS, Galileo, BDS, and QZSS constellations.
Swissbit S-56 & S-56u Memory Cards
06/22/2026
06/22/2026
Offer 4 GBytes, 8 GBytes, 16 GBytes, 32 GBytes, 64 GBytes, and 128GBytes capacities.
e-peas EVK15820 Evaluation Kit
06/22/2026
06/22/2026
Integrates all necessary components to operate the AEM15820 IC in a 40‑pin QFN package.
Analog Devices Inc. EV-ADuM7801-8FMCZ評価ボード
06/19/2026
06/19/2026
Σ-Δ変調ビットストリーム出力を備えたADCであるADuM7801用のフル機能評価用プラットフォーム。
Mikroe SMA RAK11720 Click
06/19/2026
06/19/2026
Dual wireless connectivity for long-range LoRaWAN and short-range BLE IoT designs.
Analog Devices Inc. AD-IMP2501-SL1.5MHzインピーダンスアナライザーソリューション
06/19/2026
06/19/2026
インピーダンスアナライザデモンストレータとテクノロジー評価システムは、2つのボードで構成されています。
Analog Devices Inc. EVAL-ADuM7811評価ボード
06/19/2026
06/19/2026
シグマ-デルタ変調ビットストリームを備えたADuM7811 ADC用のフル機能評価用プラットフォーム。
Vishay MXP075 MaxSiC® 750V NチャネルMOSFET
06/19/2026
06/19/2026
750Vのドレイン・ソース間電圧、高速スイッチング速度、および3μsの短絡耐量時間を特徴としています。
Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
06/18/2026
06/18/2026
Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.
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