FFSH SiCショットキーダイオード

onsemi FFSHシリコンカーバイド（SiC）ショットキーダイオードは、システム効率の改善を実現しており、175°Cの最大接合部温度があります。これらのショットキーダイオードにはスイッチング損失がなく、高サージ電流能力が備わっています。このダイオードには、より高い動作周波数、電力密度の増大、システムのサイズおよびコストの削減を目的に、シリコンカーバイド半導体素材が使用されています。これによって、サージまたは過電圧状態での高い信頼性と堅牢な動作が保証されています。