SiC MOSFET

SiC MOSFET
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結果: 1,320
選択 画像 部品番号
 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
認証
トレードネーム

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
データシート
1,456在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
データシート
2,422在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
データシート
1,285在庫
最低： 1
複数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 106 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement EliteSiC
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
データシート
1,140在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement
Diodes Incorporated DMWSH120H37SM4
Diodes Incorporated SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
データシート
30在庫
最低： 1
複数： 1



Diodes Incorporated SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS
データシート
35在庫
最低： 1
複数： 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38.2 A 90 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 54.6 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD
データシート
982在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 77 A 44 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 99 nC - 55 C + 175 C 283 W Enhancement


Diodes Incorporated SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS
データシート
50在庫
最低： 1
複数： 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38.2 A 90 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 54.6 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement
SemiQ SiC MOSFET 1200V, 18mOhm, TO-247-4L MOSFET
データシート
20在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 119 A 18 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 216 nC - 55 C + 175 C 564 W Enhancement
SemiQ SiC MOSFET 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET
データシート
25在庫
最低： 1
複数： 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 112 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement
WeEn Semiconductors SiC MOSFET WNSC2M150120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
データシート
477在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 150 mOhms - 4 V, + 18 V 3.5 V 40 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
データシート
780在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 60 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 150 mW Enhancement CoolSiC
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-247-3, Industrial
データシート
3,334在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7.6 A 455 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 19 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 1.2kV 75mOHMS E3M AUTO AECQ101
データシート
365在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 75 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 55 nC - 55 C + 175 C 145 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 1.2KV 40A N-CH SIC
データシート
670在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 91 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 31A N-CH SIC
データシート
1,946在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 31 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
データシート
1,201在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 93 W Enhancement AEC-Q101
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247-4
データシート
338在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247-4
データシート
581在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/7MOSICFETG3TO247-4
データシート
449在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 9 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 214 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/16MOSICFETG3TO24
データシート
466在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 107 A 21 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 218 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO247-3
データシート
616在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 67 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 263 W SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO247-4
データシート
390在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27.5 A 91 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 217 W SiC FET
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4
データシート
258在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 232 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
データシート
551在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 4.9 V 61 nC - 55 C + 200 C 278 W Enhancement AEC-Q101