STMicroelectronics 最新のトランジスタ
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= STMicroelectronics
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STMicroelectronics STGI15C60S 三相インバータ & IGBT SLLIMM
08/19/2026
08/19/2026
ハードスイッチング回路で最大20kHzで動作するモータドライブに最適です。
STMicroelectronics STH4N150-2AG NチャンネルパワーMOSFET
08/10/2026
08/10/2026
自動車アプリケーション向けの高レベルの電圧と堅牢性を確保するように設計されています。
STMicroelectronics STL059N4S8AGパワーMOSFET
03/31/2026
03/31/2026
Smart STripFET F8テクノロジーで設計された40V Nチャンネル拡張モード対応パワーMOSFETです。
STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ
12/04/2025
12/04/2025
効率性の高い電力変換アプリケーション用に設計されたEモードPowerGaNトランジスタです。
STMicroelectronics SGT070R70HTO PowerGaN e-modeトランジスタ
11/07/2025
11/07/2025
GaNテクノロジーをベースにしたトランジスタ。電力変換アプリケーションの高まるニーズに応えます。
STMicroelectronics SGT350R70GTK EモードPowerGaNトランジスタ
10/28/2025
10/28/2025
要求の厳しいアプリケーションでの効率的な電力変換を目的に最適化されたEモードPowerGaNトランジスタです。
STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA車載用パワーモジュール
09/26/2025
09/26/2025
ハイブリッドと電気自動車のOBCを対象とした統合NTCが搭載されている3相4線式 PFCトポロジが備わっています。
STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA車載用パワーモジュール
09/26/2025
09/26/2025
電気自動車のOBCのDC/DCコンバータ段を対象としたNTCが搭載された6パックトポロジが備わっています。
STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1,600V IH2シリーズIGBT
05/22/2025
05/22/2025
高度な独自のトレンチゲート・フィールドストップ構造を実装することによって作成されました。
STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT（ダイオード搭載）
12/24/2024
12/24/2024
ハーフブリッジトポロジに2個のIGBTとダイオードが組み合わされています。
STMicroelectronics NチャンネルMDmesh K6パワーMOSFET
07/22/2024
07/22/2024
800V、ツェナー・ダイオードによる保護、100%アバランシェ試験済み。フライバック・コンバータおよびLED照明に最適。
STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG車載用MSシリーズIGBT
07/03/2024
07/03/2024
1200V、40A、低損失、低い熱抵抗を実現。TO-247ロング・リード・パッケージで提供。
STMicroelectronics M1F45M12W2-1LA ACEPACK DMT‑32パワーモジュール
10/19/2023
10/19/2023
ハイブリッドと電気自動車のDC/DCコンバータ段を対象に設計されています。
STMicroelectronics STP80N1K1K6 NチャンネルパワーMOSFET
10/01/2023
10/01/2023
MDメッシュK6技術が採用されており、スーパージャンクション技術における20年の経験が活用されています。
STMicroelectronics SH63N65DM6AGパワーMOSFET
08/18/2023
08/18/2023
車載用NチャネルMDmesh DM6ハーフブリッジトポロジでパワーMOSFETを組み合わせており、650Vのブロッキング電圧を提供します。
STMicroelectronics STL120N10F8 100V Nチャネル STripFET MOSFET
05/08/2023
05/08/2023
このデバイスには、STのSTripFET F8テクノロジーが活用されており、強化されたトレンチ ゲート構造が特徴です。
STMicroelectronics STGSH80HB65DAG 650V 80A HBシリーズIGBT
03/24/2023
03/24/2023
2つのIGBTとダイオードが特徴で、コンパクトで堅牢な表面実装パッケージに収められています。
STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6パワーMOSFET
01/25/2023
01/25/2023
ツェナー保護と100%アバランシェが特徴の高電圧NチャンネルパワーMOSFETです。
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ROHM Semiconductor RGA50TxX2HR Automotive Field Stop Trench IGBTs
10/22/2026
10/22/2026
These devices feature low switching and conduction losses.
ROHM Semiconductor RGA50TxX2EHR Automotive Field Stop Trench IGBTs
10/22/2026
10/22/2026
These devices feature low switching and conduction losses.
Diodes Incorporated DMN2005K N-Ch E-Mode Field-Effect Transistor
10/19/2026
10/19/2026
Features low on-resistance, a very low gate threshold voltage, and fast switching performance.
Qorvo QPD1000A GaN入力整合トランジスタ
10/14/2026
10/14/2026
28V電源レール上で30MHz～1215MHzの範囲で動作する50Ω入力整合ディスクリートGaN-on-SiC HEMTです。
Qorvo QPD2562L GaN RFパワートランジスタ
10/06/2026
10/06/2026
2.5GHz～2.9GHz、および2.9GHz～3.3GHzで動作する200W～300WのディスクリートGaN-on-SiC HEMTです。
Infineon Technologies HybridPACK™ HD CoolSiC™ MOSFETモジュール
10/02/2026
10/02/2026
電気商用車用トラクションインバータ向け1400V CoolSiC MOSFETモジュールです。
Texas Instruments JFE2325デュアル低電力NチャンネルJFET
09/09/2026
09/09/2026
エレクトレットコンデンサマイクロホン（ECM）など、非常に高いインピーダンスのセンサとの使用を想定しています。
IXYS IXSH100N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
09/02/2026
1200 V、21 mΩ、102 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
09/02/2026
1200 V、55 mΩ、48.3 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
IXYS IXSH110N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
09/02/2026
1200 V、18 mΩ、112 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
09/02/2026
1200 V、13.5 mΩ、147 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
Microchip Technology HV-D3 mSiC® パワーモジュール
09/01/2026
09/01/2026
データセンターやその他の高電圧電力アプリケーション環境へのSSTの適合・導入を簡素化し、加速させます。
STMicroelectronics STGI15C60S 三相インバータ & IGBT SLLIMM
08/19/2026
08/19/2026
ハードスイッチング回路で最大20kHzで動作するモータドライブに最適です。
iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
08/12/2026
08/12/2026
Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.
STMicroelectronics STH4N150-2AG NチャンネルパワーMOSFET
08/10/2026
08/10/2026
自動車アプリケーション向けの高レベルの電圧と堅牢性を確保するように設計されています。
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