IXYS IXSJxN120R1K 1,200V SiCパワーMOSFET
IXYS IXSJxN120R1K 1,200V SiCパワーMOSFETは、最高1,200Vまでの阻止電圧が特徴で、18mΩまたは36mΩ低RDS (on) が備わっています。これらのIXYS SiCパワーMOSFETには、79nC (IXSJ43N120R1K)または155nC (IXS80N120R1K)の低ゲート電荷および2,453pF (IXSJ43N120R1K)または4,556pF (IXSJ80N120R1K)の低入力容量が備わっています。IXSJxN120R1Kは、15V ～ 18Vの柔軟性に富んだゲート電圧範囲および0Vの推奨ターンオフゲート電圧を実現しています。アプリケーションには、電気自動車(EV)充電インフラ、ソーラーインバータ、スイッチモード電源、無停電電源装置、モータードライブ、その他があります。
特徴
- 最高1200Vまでの阻止電圧で、18mΩまたは36mΩ低RDS (on) が備わっています。
- 低ゲート電荷
- 79nC (IXSJ43N120R1K)
- 155nC (IXS80N120R1K)
- 柔軟性に富んだゲート電圧範囲: 15V～ 18V
- 低入力容量
- 2,453pF (IXSJ43N120R1K)
- 4,556pF (IXSJ80N120R1K)
- 0V推奨ターンオフゲート電圧
アプリケーション
- EV充電インフラ
- ソーラーインバータ
- スイッチモード電源
- 無停電電源装置
- モータドライブ
- DC/DCコンバータ
- バッテリ充電器
- 誘導加熱
- 高周波アプリケーション
仕様
- 仮想ジャンクション温度範囲：-40°C ~ +150°C
- ドレイン電流
- 46A (IXSJ43N120R1K)
- 80A (IXSJ80N120R1K)
- RDS (on) 標準
- 18mΩ (IXSJ80N120R1K)
- 36mΩ (IXSJ43N120R1K)
データシート
ピン配列図(ISO247-4 L)
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公開: 2025-08-06
| 更新済み: 2025-08-27