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= ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE パック™ 成形モジュール付き
03/17/2026
03/17/2026
定格電圧1,200Vが特徴で、41.6mm × 52.5mm のパッケージに収められており、第4世代SiC MOSFETが統合されています。
ROHM Semiconductor BM2P10xJ-Z PWM-タイプDC DCコンバータIC
11/03/2025
11/03/2025
730VスイッチングMOSFET機能を内蔵し、高電圧AC電源から直接作動します。
ROHM Semiconductor 750V NチャネルSiC MOSFET
10/17/2025
10/17/2025
デバイスはスイッチング周波数をブーストし、コンデンサ、リアクタ、その他必要なコンポーネントを減少させます。
ROHM Semiconductor RD3x車載用NチャンネルパワーMOSFET
10/16/2025
10/16/2025
AEC-Q101 MOSFETは、低順方向電圧、高速リカバリ時間、高サージ能力を備えています。
ROHM Semiconductor BM3G115MUV-EVK-003評価ボード
08/27/2025
08/27/2025
BM3G115MUV GaN HEMT パワーステージICの機能を評価・実証するために設計されています。
ROHM Semiconductor BM3G107MUV-EVK-003評価ボード
08/27/2025
08/27/2025
BM3G107MUV GaN HEMT電力段ICの機能を評価および実証するように設計されています。
ROHM Semiconductor RF202LB2S超高速リカバリダイオード
08/21/2025
08/21/2025
低 VF 、かつ低スイッチング損失が特長のシリコンエピタキシャルプレーナ型超高速リカバリダイオードです。
ROHM Semiconductor RNxMFH 車載グレードPINダイオード
08/21/2025
08/21/2025
車載グレードダイオードで、超小型モールドパッケージになっており、高周波数スイッチングに適しています。
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V Nチャネル SiC パワーMOSFET
08/21/2025
08/21/2025
ドレイン・ソース間電圧 1700V（VDSS）、および連続ドレイン電流3.9A（ID）の定格SiC MOSFETです。
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40V NチャンネルパワーMOSFET
08/19/2025
08/19/2025
40V VDSS 、および±12A ID 定格車載グレードMOSFETで、AEC-Q101の認定を取得しています。
ROHM Semiconductor BR25G-5 SPI BUS EEPROM
08/19/2025
08/19/2025
これらのデバイスは、SPI BUSインターフェイスの16KビットシリアルEEPROMで、書き換え回数400万回を実現しています。
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V PチャンネルパワーMOSFET
08/19/2025
08/19/2025
-60V VDSS 、および±36A ID 定格車載グレードMOSFETで、AEC-Q101の認定を取得しています。
表示: 1～25/218
NXP Semiconductors NAFE33352-UIOM AIO AFE Arduino® Shield Eval Board
09/03/2026
09/03/2026
Designed for the NAFE33352 industrial-grade universal analog input and output front-end (AFE).
Infineon Technologies 65W USB-C™ Power Delivery Reference Designs
09/03/2026
09/03/2026
These reference designs were developed for a USB-PD charger or a notebook USB-PD adapter.
IXYS IXSH110N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
09/02/2026
1200 V、18 mΩ、112 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
09/02/2026
1200 V、13.5 mΩ、147 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
09/02/2026
1200 V、55 mΩ、48.3 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
IXYS IXSH100N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
09/02/2026
1200 V、21 mΩ、102 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
Texas Instruments SK-TDA4VMエッジAI Vision 用プロセッサスターターキット
09/01/2026
09/01/2026
ロボット、スマートカメラ、インテリジェントマシンの稼働用に設計されており、素早く設定ができます。
Microchip Technology HV-D3 mSiC® Power Modules
09/01/2026
09/01/2026
Simplifies and accelerates adoption of SSTs in data centers & other high-voltage power applications.
Espressif Systems ESP32-P4 System-on-Chip (SoC)
09/01/2026
09/01/2026
High-performance RISC-V SoC with integrated media processing, HMI, and security capabilities.
Infineon Technologies TLE49901/TLI49901 XENSIV 磁気位置センサ
08/27/2026
08/27/2026
変位、直線、および角度測定用のレシオメトリック対応アナログ リニアホールセンサです。
STMicroelectronics STM32H5F5J-DK Discoveryキット
08/26/2026
08/26/2026
LCD、イーサネット、およびSTLINK-V3ECを搭載した、STM32H5F5LJ MCU開発向けのディスカバリキットです。
Espressif Systems ESP32-S31-Function-CoreBoard-1 Development Board
08/25/2026
08/25/2026
Connected AIoT development board with Wi-Fi 6, Bluetooth 5.4, IEEE 802.15.4, and Gigabit Ethernet.
Espressif Systems ESP32-S31-Korvo-1 Development Board
08/25/2026
08/25/2026
Multimedia development board for smart audio and HMI applications.
Infineon Technologies EiceDRIVER™ 2EDL90xG3 ゲートドライバ
08/25/2026
08/25/2026
同一プリント基板上で窒化ガリウム（GaN）およびシリコン（Si）のパワー設計を可能にするために設計されています。
表示: 1～25/8300