Infineon Technologies CoolSiC™ 650V G2炭化ケイ素MOSFET

インフィニオン (Infineon) CoolSiC™ 650V G2 炭化ケイ素MOSFETは、エネルギー損失の低減を可能にすることで炭化ケイ素の持つ性能を最大限に引き出し、電力変換時のさらなる高効率を実現します。Infineon CoolSiC 650V G2 MOSFETは、太陽光発電、エネルギー蓄電システム、EV用DC充電、モータドライブ、産業用電源など、さまざまなパワー半導体アプリケーションにメリットをもたらします。CoolSiC G2を搭載した電気自動車用DC急速充電ステーションは、フォームファクタを維持したまま、前世代比で最大10%の電力損失削減と、より高い充電容量を可能にします。

特徴

  • 柔軟性に富んだ駆動電圧で、バイポーラ駆動方式との互換性あり
  • ベンチマークとなるゲート閾値電圧:VGS(th) = 4.5V
  • ターンオフ時のゲート電圧が0Vであっても寄生ターンオンに対する高い堅牢性を実現
  • 柔軟な駆動電圧とバイポーラ駆動方式との互換性
  • 超低スイッチング損失
  • ハード整流イベント下でも堅牢なボディダイオード動作
  • 。優れた熱性能を実現するXT相互接続テクノロジー

アプリケーション

  • SMPS
  • ソーターPVインバータ
  • エネルギー貯蔵とバッテリ形成
  • UPS
  • EV充電インフラ
  • モータドライブ
Infineon Technologies CoolSiC™ 650V G2炭化ケイ素MOSFET

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Infineon Technologies CoolSiC™ 650V G2炭化ケイ素MOSFET
公開: 2024-04-05 | 更新済み: 2025-12-15