新しいRF JFET トランジスター
CEL Low Noise FETs and ICs exhibit low noise figures and high associated gains, delivering exceptional noise figure performance at frequencies past 20GHz. These products are available in both ceramic and plastic packages that uphold the renowned Japanese manufacturing quality and reliability. The low-noise FETs and amplifier ICs offer better RF performance than other pHEMTs. Target markets for the devices include Digital Broadcast Systems (DBS), Low Noise Block (LNB) downconverters, and Very Small Aperture Terminal Satellite (VSAT) communication systems. Other typical applications include microwave communication systems, motion detectors, traffic monitoring, collision avoidance, and presence detections.
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CEL Low Noise FETs & ICsDeliver exceptional noise performance even beyond 20GHz with high associated gains.2023/07/09
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Qorvo QPD2160D 1600µm ディスクリートGaAs pHEMTP1dBで32.5dBmの出力電力、10.4dBゲイン、1dBで63%の電力付加効率を実現しています。2022/04/19 -
Qorvo QPD2120D 1200µmディスクリートGaAs pHEMTP1dBで31dBmの出力電力、11.5dBゲイン、1dBで57%の電力付加効率を実現しています。2022/04/19 -
Qorvo QPD2080D 800µm ディスクリートGaAs pHEMTP1dBで29.5dBmの出力電力、11.5dBゲイン、1dBで56%の電力付加効率を実現しています。2022/04/19 -
Qorvo QPD2060D 600µmディスクリートGaAs pHEMTP1dBで28dBmの出力電力、12dBゲイン、1dBで55%の電力付加効率を実現しています。2022/04/19 -
Qorvo QPD2040D 400umディスクリートGaAs pHEMTダイQorvoの実証された標準0.25umパワーpHEMT生産プロセスを使用して設計されています。2022/02/14 -
Qorvo QPD2018D 180umディスクリートGaAs pHEMTダイQorvoの実証された標準0.25umパワーpHEMT生産プロセスが活用されています。2022/02/14 -
Qorvo QPD2025D 250umディスクリートGaAs pHEMTダイQorvoの実証された標準0.25umパワーpHEMT生産プロセスを使用して開発されています。2022/02/14