onsemi NVHL027N65S3F 650V 75A SUPERFET® IIIパワーMOSFET
onsemi NVHL027N65S3F 650V 75A SUPERFET® IIIパワーMOSFETは、際立った低オン抵抗と低ゲート電荷性能を目的に充電バランス・テクノロジが活用されている、高電圧スーパージャンクション（SJ）MOSFETです。充電バランス技術によって導通損失が最小化され、優れたスイッチング性能が実現し、極端的なdV/dt率に耐える機能を有効にできます。NVHL027N65S3F SUPERFET III MOSFETは、ミニチュア化と高効率を必要とするパワー・システムに最適です。また、NVHL027N65S3Fは、逆回復ボディダイオード性能向けに最適化されており、機能が搭載されており、必要な追加部品の削減とシステム信頼性の向上がもたらされています。
The NVHL027N65S3F SUPERFET IIIパワーMOSFETは、3リードTO-247ロングリード・パッケージに収められています。このデバイスは、無鉛でRoHSに準拠しています。NVHL027N65S3Fは、AEC-Q101の認定を受けており、PPAP対応で、自動車アプリケーションに最適です。
特徴
- AEC-Q101認定およびPPAP対応
- 700V @ TJ= 150°C
- Typical RDS(on)= 21.5mΩ
- 超低ゲート電荷（Typical Qg= 227nC）
- 低効率出力キャパシタンス（Typical Coss(eff.)= 1880μF)
- 優れたボディダイオード性能（低Qrr、堅牢なボディダイオード）
- 最適化された容量
- 低温度動作での高いシステム信頼性
- 低スイッチング損失
- LLCおよび位相シフト完全ブリッジ回路での信頼性の高いシステム
- 低ピークVdsおよび低Vgs発振
- 100%アバランシェ試験済
- パッケージの種類: TO-247ロングリード
- 無鉛、RoHS準拠
アプリケーション
- 車載用オンボード充電器HEV-EV
- HEV-E向け車載用DC-DCコンバータ
ゲート電荷テスト回路
抵抗スイッチング・テスト回路
誘導スイッチング・テスト回路
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