ROHM Semiconductor RF4L070BG NチャンネルパワーMOSFET
ROHM Semiconductor RF4L070BG NチャンネルパワーMOSFETは、27.0mΩ低オン状態抵抗を特徴とする60.0V、7.0A MOSFETで、スイッチングアプリケーションに最適です。RF4L070BGには、25.0ns（標準）逆回復時間および22.0nC（標準）逆回復電荷があります。デバイスの消費電力は2.0Wで、-55℃～+150の広い動作ジャンクションおよび保存温度範囲が特徴です。
ROHM Semiconductor RF4L070BG NチャンネルパワーMOSFETは、高出力・小型モールド2.0mm x 2.0mm DFN2020-8S（HUML2020L8）パッケージでご用意があり、実装スペースが限られているアプリケーションに最適です。
特徴
- 27.0mΩ低オン状態抵抗（RDS(ON)）
- 60.0Vドレイン-ソース間電圧（VDSS）
- ±7.0A連続ドレイン電流（ID）
- +28.0Aパルスドレイン電流（IDP）
- +20.0Vゲート-ソース間電圧（VGSS）
- 7.0Aアバランシェ電流、シングルパルス（IAS）
- 4.0mJアバランシェエネルギー、シングルパルス（EAS）
- 2.0W消費電力（PD）
- 25.0ns逆回復時間（trr）
- 22.0nC逆回復電荷（Qrr）
- -55℃～+150℃動作ジャンクションおよび保存温度範囲
- 2.0mm x 2.0mm DFN2020-8S（HUL2020L8）パッケージ
- Pbフリーメッキ
- ハロゲンフリー、RoHS準拠
アプリケーション
- スイッチング
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ピン番号と内部回路
パッケージ外形
公開: 2021-11-29
| 更新済み: 2022-03-11