650シリコンカーバイド (SiC) MOSFET

STMicroelectronics 650シリコンカーバイド（SiC）MOSFETは、エリア毎の非常に低いオン状態抵抗（RDS(on)）が特徴で、優れたスイッチング性能と組み合わされています。これよって、効率的な小型システムにすることができます。シリコンMOSFETに比べて、SiC MOSFETは、高温であっても領域あたりのオン状態抵抗が低くなっています。また、SiC MOSFETは、すべての温度範囲でのベストインクラスのIGBTに対する優れたスイッチング性能も特徴です。これによって、電子システムの電力熱設計を簡素化できます。

結果: 11
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説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
認証
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24
データシート
42在庫
600予想2026/05/22
最低： 1
複数： 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 90 A 25 mOhms - 10 V, + 22 V 1.9 V 157 nC - 55 C + 200 C 390 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
データシート
968在庫
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 39.3 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 48.6 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package
データシート
1,764在庫
最低： 1
複数： 1
: 1,800

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 72 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 31 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package
データシート
37在庫
1,800予想2026/06/22
最低： 1
複数： 1
: 1,800

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 63 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 42.5 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
データシート
160在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 27 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 79.4 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
データシート
505在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole HiP-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 27 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 77 nC - 55 C + 200 C 398 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
データシート
537在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 63 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 37.5 nC - 55 C + 200 C 240 W Enhancement


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
データシート
481在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 63 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 37.5 nC - 55 C + 200 C 240 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
データシート
30在庫
600取寄中
最低： 1
複数： 1

Through Hole HiP-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 72 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 32 nC - 55 C + 200 C 210 W Enhancement AEC-Q100
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A
データシート
879在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 40 mOhms - 10 V, + 22 V 4.2 V 39.5 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
データシート
非在庫リードタイム 21 週間
最低： 1,000
複数： 1,000
: 1,000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 27 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 79.4 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement