個別半導体のタイプ
STMicroelectronics STL059N4S8AGパワーMOSFET
03/31/2026
03/31/2026
Smart STripFET F8テクノロジーで設計された40V Nチャンネル拡張モード対応パワーMOSFETです。
STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ
12/04/2025
12/04/2025
効率性の高い電力変換アプリケーション用に設計されたEモードPowerGaNトランジスタです。
STMicroelectronics SGT070R70HTO PowerGaN e-modeトランジスタ
11/07/2025
11/07/2025
GaNテクノロジーをベースにしたトランジスタ。電力変換アプリケーションの高まるニーズに応えます。
STMicroelectronics SGT350R70GTK EモードPowerGaNトランジスタ
10/28/2025
10/28/2025
要求の厳しいアプリケーションでの効率的な電力変換を目的に最適化されたEモードPowerGaNトランジスタです。
STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA車載用パワーモジュール
09/26/2025
09/26/2025
ハイブリッドと電気自動車のOBCを対象とした統合NTCが搭載されている3相4線式 PFCトポロジが備わっています。
STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA車載用パワーモジュール
09/26/2025
09/26/2025
電気自動車のOBCのDC/DCコンバータ段を対象としたNTCが搭載された6パックトポロジが備わっています。
STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1,600V IH2シリーズIGBT
05/22/2025
05/22/2025
高度な独自のトレンチゲート・フィールドストップ構造を実装することによって作成されました。
STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT(ダイオード搭載)
12/24/2024
12/24/2024
ハーフブリッジトポロジに2個のIGBTとダイオードが組み合わされています。
STMicroelectronics ESDZX168B-1BF4双方向シングルラインTVSダイオード
10/14/2024
10/14/2024
このデバイスは、データラインまたは他のI/OポートをESD過渡現象から保護するように設計されています。
STMicroelectronics STTH120RQ06-M2Y 600V超高速ブリッジモジュール
10/08/2024
10/08/2024
車両に統合された充電器アプリケーション、または充電ステーションでの使用に適しています。
STMicroelectronics NチャンネルMDmesh K6パワーMOSFET
07/22/2024
07/22/2024
800V、ツェナー・ダイオードによる保護、100%アバランシェ試験済み。フライバック・コンバータおよびLED照明に最適。
STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG車載用MSシリーズIGBT
07/03/2024
07/03/2024
1200V、40A、低損失、低い熱抵抗を実現。TO-247ロング・リード・パッケージで提供。
STMicroelectronics M1F45M12W2-1LA ACEPACK DMT‑32パワーモジュール
10/19/2023
10/19/2023
ハイブリッドと電気自動車のDC/DCコンバータ段を対象に設計されています。
STMicroelectronics STP80N1K1K6 NチャンネルパワーMOSFET
10/01/2023
10/01/2023
MDメッシュK6技術が採用されており、スーパージャンクション技術における20年の経験が活用されています。
STMicroelectronics SH63N65DM6AGパワーMOSFET
08/18/2023
08/18/2023
車載用NチャネルMDmesh DM6ハーフブリッジトポロジでパワーMOSFETを組み合わせており、650Vのブロッキング電圧を提供します。
STMicroelectronics STL120N10F8 100V Nチャネル STripFET MOSFET
05/08/2023
05/08/2023
このデバイスには、STのSTripFET F8テクノロジーが活用されており、強化されたトレンチ ゲート構造が特徴です。
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Littelfuse SJx08x High-Temperature SCRs
04/24/2026
04/24/2026
Voltage of up to 800V, surge current capability of up to 100A, & a temperature rating of +150°C.
RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions
04/24/2026
04/24/2026
Features components ideal for energy, industrial, and medical applications.
Littelfuse QVx35xHx High-Temperature Alternistor TRIACs
04/24/2026
04/24/2026
Offers a 35A rated current and is available in TO-220AB, TO-220 isolated, and TO-263 packages.
Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode
04/16/2026
04/16/2026
Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.
onsemi NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET
04/14/2026
04/14/2026
Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
04/07/2026
04/07/2026
Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
Vishay VS-HOT200C080 200A 80VパワーMOSFETモジュール
04/02/2026
04/02/2026
このデバイスは、標準のディスクリートソリューションと比べて基板占有面積を最大15%削減します。
Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes
04/02/2026
04/02/2026
AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.
Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
04/02/2026
04/02/2026
High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.
STMicroelectronics STL059N4S8AGパワーMOSFET
03/31/2026
03/31/2026
Smart STripFET F8テクノロジーで設計された40V Nチャンネル拡張モード対応パワーMOSFETです。
Infineon Technologies NチャンネルOptiMOS™ 7 25VパワーMOSFET
03/27/2026
03/27/2026
アプリケーションに最適化された性能により、データセンター、サーバー、AIのピーク性能を実現します。
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60VパワーMOSFET
03/27/2026
03/27/2026
堅牢なパワーMOSFETテクノロジーにより、OptiMOS 5を超える優れた性能を提供します。
RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifier
03/24/2026
03/24/2026
Designed for micro-power isolated power supply applications in space-constrained environments.
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
03/24/2026
03/24/2026
Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.
Renesas Electronics TP65B110HRU 双方向スイッチ (BDS)
03/20/2026
03/20/2026
650Vおよび110mΩノーマリオフ型窒化ガリウム (GaN)。コンパクトなTOLTパッケージで供給。
Vishay T3KN12CA thru T3KN100CA PAR® TVS
03/18/2026
03/18/2026
TVSs are bidirectional, 3000W peak-pulse-power devices ideal for automated placement.
Infineon Technologies OptiMOS™ 8パワーMOSFET
03/17/2026
03/17/2026
Nチャンネル、ノーマルレベルの80Vまたは100V対応MOSFETで、非常に低いオン抵抗[RDS(ON)]を備えています。
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE パック™ 成形モジュール付き
03/17/2026
03/17/2026
定格電圧1,200Vが特徴で、41.6mm × 52.5mm のパッケージに収められており、第4世代SiC MOSFETが統合されています。
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