個別半導体のタイプ
適用されたフィルタ:
onsemi NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET
04/14/2026
04/14/2026
Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.
ROHM Semiconductor High-Density SiC Power Modules
04/10/2026
04/10/2026
TRCDRIVE pack™, DOT-247, and HSDIP20 packages contribute to high-performance power conversion.
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
04/07/2026
04/07/2026
Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
04/06/2026
04/06/2026
Dual N-channel MOSFET designed with low Rg for fast switching applications.
Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
04/02/2026
04/02/2026
High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.
Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes
04/02/2026
04/02/2026
AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.
Vishay VS-HOT200C080 200A 80VパワーMOSFETモジュール
04/02/2026
04/02/2026
このデバイスは、標準のディスクリートソリューションと比べて基板占有面積を最大15%削減します。
STMicroelectronics STL059N4S8AGパワーMOSFET
03/31/2026
03/31/2026
Smart STripFET F8テクノロジーで設計された40V Nチャンネル拡張モード対応パワーMOSFETです。
Infineon Technologies NチャンネルOptiMOS™ 7 25VパワーMOSFET
03/27/2026
03/27/2026
アプリケーションに最適化された性能により、データセンター、サーバー、AIのピーク性能を実現します。
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60VパワーMOSFET
03/27/2026
03/27/2026
堅牢なパワーMOSFETテクノロジーにより、OptiMOS 5を超える優れた性能を提供します。
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
03/24/2026
03/24/2026
Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.
RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifier
03/24/2026
03/24/2026
Designed for micro-power isolated power supply applications in space-constrained environments.
Renesas Electronics TP65B110HRU 双方向スイッチ (BDS)
03/20/2026
03/20/2026
650Vおよび110mΩノーマリオフ型窒化ガリウム (GaN)。コンパクトなTOLTパッケージで供給。
Vishay T3KN12CA thru T3KN100CA PAR® TVS
03/18/2026
03/18/2026
TVSs are bidirectional, 3000W peak-pulse-power devices ideal for automated placement.
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE パック™ 成形モジュール付き
03/17/2026
03/17/2026
定格電圧1,200Vが特徴で、41.6mm × 52.5mm のパッケージに収められており、第4世代SiC MOSFETが統合されています。
Infineon Technologies 中電圧CoolGaN™双方向スイッチ
03/17/2026
03/17/2026
これらのデバイスは、さまざまなアプリケーションでバッテリ切断スイッチとして機能するのに最適です。
Infineon Technologies OptiMOS™ 8パワーMOSFET
03/17/2026
03/17/2026
Nチャンネル、ノーマルレベルの80Vまたは100V対応MOSFETで、非常に低いオン抵抗[RDS(ON)]を備えています。
Micro Commercial Components (MCC) BAT46L2 Schottky Diode
03/12/2026
03/12/2026
150mW small-signal Schottky diode designed for high‑speed switching applications.
表示: 1~25/1228
