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STMicroelectronics SiC MOSFET

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結果: 59

適用されたフィルタ:

ブランド = STMicroelectronics

取り付け様式

パッケージ/ケース

トランジスタ極性

チャンネル数

Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧

Id - 連続ドレイン電流

Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース

Vgs - ゲート-ソース間電圧

Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧

Qg - ゲート電荷

最低動作温度

最高動作温度

Pd - 電力損失

チャネルモード

認証

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通常は在庫あり

取り扱い中

新製品

RoHS対応品

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部品番号

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

SCT019HU120G3AG
STMicroelectronics
1: ¥3,605.6
12在庫
600予想2027/02/15
新製品

メーカ部品番号
SCT019HU120G3AG

Mouser 部品番号
511-SCT019HU120G3AG

新製品

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets について

データシート

12在庫

600予想2027/02/15

カットテープ

¥3,605.6

¥2,692.8

¥2,058.7

リール

¥2,058.7

最低： 1
複数： 1

: 600

AEC-Q100

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

SCTL35N65G2V
STMicroelectronics
1: ¥2,795.5
2,311在庫

メーカ部品番号
SCTL35N65G2V

Mouser 部品番号
511-SCTL35N65G2V

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

STMicroelectronics stm hb igbt について

データシート

2,311在庫

カットテープ

¥2,795.5

¥1,975.6

¥1,695.2

¥1,691.9

¥1,584.4

リール

¥1,584.4

MouseReel が利用可能

最低： 1
複数： 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

1 Channel

650 V

40 A

67 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

417 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

SCTW40N120G2VAG
STMicroelectronics
1: ¥3,000.8
551在庫

メーカ部品番号
SCTW40N120G2VAG

Mouser 部品番号
511-SCTW40N120G2VAG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets について

データシート

551在庫

¥3,000.8

¥1,861.5

¥1,736

最低： 1
複数： 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

100 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.9 V

61 nC

- 55 C

+ 200 C

278 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

SCTL90N65G2V
STMicroelectronics
1: ¥5,085.6
1,597在庫

メーカ部品番号
SCTL90N65G2V

Mouser 部品番号
511-SCTL90N65G2V

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets について

データシート

1,597在庫

カットテープ

¥5,085.6

¥3,719.7

¥3,633.3

¥3,630

¥3,395.3

リール

¥3,395.3

MouseReel が利用可能

最低： 1
複数： 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

1 Channel

650 V

40 A

18 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

157 nC

- 55 C

+ 175 C

935 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

SCT012W90G3-4AG
STMicroelectronics
1: ¥3,618.6
635在庫
新製品

メーカ部品番号
SCT012W90G3-4AG

Mouser 部品番号
511-SCT012W90G3-4AG

新製品

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets について

データシート

635在庫

¥3,618.6

¥2,280.4

見積り

最低： 1
複数： 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

15.8 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

138 nC

- 55 C

+ 200 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

SCT016H120G3AG
STMicroelectronics
1: ¥3,799.5
588在庫
新製品

メーカ部品番号
SCT016H120G3AG

Mouser 部品番号
511-SCT016H120G3AG

新製品

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets について

データシート

588在庫

カットテープ

¥3,799.5

¥2,749.8

¥2,744.9

¥2,743.3

リール

¥2,562.4

MouseReel が利用可能

最低： 1
複数： 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

112 A

22 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

652 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

SCT020HU120G3AG
STMicroelectronics
1: ¥3,709.9
304在庫
600予想2027/05/24
新製品

メーカ部品番号
SCT020HU120G3AG

Mouser 部品番号
511-SCT020HU120G3AG

新製品

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets について

データシート

304在庫

600予想2027/05/24

カットテープ

¥3,709.9

¥2,771

¥2,396.1

リール

¥2,119

MouseReel が利用可能

最低： 1
複数： 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

555 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
1: ¥2,218.4
964在庫
新製品

メーカ部品番号
SCT027H65G3AG

Mouser 部品番号
511-SCT027H65G3AG

新製品

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets について

データシート

964在庫

カットテープ

¥2,218.4

¥1,548.5

¥1,258.4

リール

¥1,175.2

最低： 1
複数： 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

39.3 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

48.6 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package

SCT040HU120G3AG
STMicroelectronics
1: ¥2,296.7
596在庫
600予想2026/08/10
新製品

メーカ部品番号
SCT040HU120G3AG

Mouser 部品番号
511-SCT040HU120G3AG

新製品

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets について

データシート

596在庫

600予想2026/08/10

カットテープ

¥2,296.7

¥1,649.6

¥1,525.7

リール

¥1,333.3

¥1,269.8

MouseReel が利用可能

最低： 1
複数： 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

SCT055TO65G3
STMicroelectronics
1: ¥1,491.5
1,754在庫
新製品

メーカ部品番号
SCT055TO65G3

Mouser 部品番号
511-SCT055TO65G3

新製品

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets について

データシート

1,754在庫

カットテープ

¥1,491.5

¥1,018.8

¥841.1

¥764.5

¥699.3

リール

¥699.3

最低： 1
複数： 1

: 1,800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

SCT040TO65G3
STMicroelectronics
1: ¥1,563.2
37在庫
1,800予想2026/07/13
新製品

メーカ部品番号
SCT040TO65G3

Mouser 部品番号
511-SCT040TO65G3

新製品

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets について

データシート

37在庫

1,800予想2026/07/13

カットテープ

¥1,563.2

¥1,176.9

¥873.7

¥870.4

¥841.1

リール

¥815

最低： 1
複数： 1

: 1,800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

42.5 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: ¥3,015.5
505在庫

メーカ部品番号
SCT018W65G3-4AG

Mouser 部品番号
511-SCT018W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets について

データシート

505在庫

¥3,015.5

¥2,308.1

¥1,765.3

¥1,608.8

¥1,339.9

最低： 1
複数： 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

77 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

SCT020W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ¥3,297.5
362在庫

メーカ部品番号
SCT020W120G3-4AG

Mouser 部品番号
511-SCT020W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets について

データシート

362在庫

¥3,297.5

¥2,062

¥1,791.4

¥1,714.8

見積り

最低： 1
複数： 1

Through Hole

Hip247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

+ 200 C

541 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

SCT025W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ¥3,349.7
495在庫
1,200予想2026/08/31

メーカ部品番号
SCT025W120G3-4AG

Mouser 部品番号
511-SCT025W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets について

データシート

495在庫

1,200予想2026/08/31

¥3,349.7

¥2,107.6

¥1,912

¥1,814.2

最低： 1
複数： 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

SCT025W120G3AG
STMicroelectronics
1: ¥3,088.9
443在庫

メーカ部品番号
SCT025W120G3AG

Mouser 部品番号
511-SCT025W120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets について

データシート

443在庫

¥3,088.9

¥1,921.8

¥1,665.9

¥1,576.2

最低： 1
複数： 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

SCT027W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: ¥2,771
307在庫

メーカ部品番号
SCT027W65G3-4AG

Mouser 部品番号
511-SCT027W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets について

データシート

307在庫

¥2,771

¥2,648.8

¥1,201.3

最低： 1
複数： 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

29 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

51 nC

- 55 C

+ 200 C

313 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A

SCT040W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ¥2,143.5
385在庫

メーカ部品番号
SCT040W120G3-4AG

Mouser 部品番号
511-SCT040W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A

STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets について

データシート

385在庫

¥2,143.5

¥1,498

¥1,225.8

最低： 1
複数： 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

SCT040W120G3AG
STMicroelectronics
1: ¥2,264.1
530在庫

メーカ部品番号
SCT040W120G3AG

Mouser 部品番号
511-SCT040W120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets について

データシート

530在庫

¥2,264.1

¥1,590.9

¥1,214.4

最低： 1
複数： 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
1: ¥1,882.7
537在庫

メーカ部品番号
SCT040W65G3-4

Mouser 部品番号
511-SCT040W65G3-4

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets について

データシート

537在庫

¥1,882.7

¥1,129.6

¥1,007.3

¥956.8

最低： 1
複数： 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: ¥2,187.5
481在庫

メーカ部品番号
SCT040W65G3-4AG

Mouser 部品番号
511-SCT040W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets について

データシート

481在庫

¥2,187.5

¥1,586

¥1,356.2

¥1,154

最低： 1
複数： 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055HU65G3AG
STMicroelectronics
1: ¥2,205.4
1,098在庫

メーカ部品番号
SCT055HU65G3AG

Mouser 部品番号
511-SCT055HU65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets について

データシート

1,098在庫

カットテープ

¥2,205.4

¥1,680.5

¥1,400.2

リール

¥1,222.5

¥1,165.5

MouseReel が利用可能

最低： 1
複数： 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

185 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT070W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ¥2,060.3
311在庫
1,200予想2026/08/10

メーカ部品番号
SCT070W120G3-4AG

Mouser 部品番号
511-SCT070W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet について

データシート

311在庫

1,200予想2026/08/10

¥2,060.3

¥1,724.5

¥1,302.4

¥1,163.8

最低： 1
複数： 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

41 nC

- 55 C

+ 200 C

236 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

SCT012H90G3AG
STMicroelectronics
1: ¥3,351.3
60在庫
1,000予想2026/08/17

メーカ部品番号
SCT012H90G3AG

Mouser 部品番号
511-SCT012H90G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets について

データシート

60在庫

1,000予想2026/08/17

カットテープ

¥3,351.3

¥2,405.9

¥2,337.4

リール

¥2,180.9

最低： 1
複数： 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

12 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

138 nC

- 55 C

+ 175 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
1: ¥2,691.1
151在庫

メーカ部品番号
SCT018H65G3AG

Mouser 部品番号
511-SCT018H65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets について

データシート

151在庫

カットテープ

¥2,691.1

¥1,905.5

¥1,820.7

¥1,623.5

リール

¥1,325.2

MouseReel が利用可能

最低： 1
複数： 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

SCT040HU65G3AG
STMicroelectronics
1: ¥2,145.1
127在庫

メーカ部品番号
SCT040HU65G3AG

Mouser 部品番号
511-SCT040HU65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets について

データシート

127在庫

カットテープ

¥2,145.1

¥1,550.1

¥1,260

リール

¥1,030.2

¥1,028.5

MouseReel が利用可能

最低： 1
複数： 1

: 600

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

40 mOhms

- 30 V, + 30 V

5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

266 W

Enhancement

AEC-Q101

10.5 nC
10.5 mOhms
12 mOhms
15 mOhms
15.8 mOhms
18 mOhms
22 mOhms
26 mOhms
27 mOhms
28 mOhms
29 mOhms
37 mOhms
39.3 mOhms
40 mOhms
54 mOhms
63 mOhms
67 mOhms
72 mOhms
87 mOhms
100 mOhms

14 nC
22 nC
29 nC
31 nC
32 nC
36 nC
37 nC
37.5 nC
39.5 nC
41 nC
42.5 nC
45 nC
48.6 nC
51 nC
54 nC
56 nC
61 nC
73 nC
76 nC
77 nC

120 W
150 W
175 W
185 W
210 W
221 W
223 W
234 W
236 W
240 W
266 W
278 W
288 W
300 W
312 W
313 W
375 W
385 W
388 W
398 W