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Qorvo QPD1000A GaN入力整合トランジスタ
Qorvo QPD1000A GaN入力整合トランジスタ
10/14/2026
28V電源レール上で30MHz～1215MHzの範囲で動作する50Ω入力整合ディスクリートGaN-on-SiC HEMTです。
Qorvo QPD2562L GaN RFパワートランジスタ
Qorvo QPD2562L GaN RFパワートランジスタ
10/06/2026
2.5GHz～2.9GHz、および2.9GHz～3.3GHzで動作する200W～300WのディスクリートGaN-on-SiC HEMTです。
Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN RFパワートランジスタ
Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN RFパワートランジスタ
10/06/2026
1.2GHz〜1.4GHzで動作する220WディスクリートGaN-on-SiC HEMTです。
Infineon Technologies HybridPACK™ HD CoolSiC™ MOSFETモジュール
Infineon Technologies HybridPACK™ HD CoolSiC™ MOSFETモジュール
10/02/2026
電気商用車用トラクションインバータ向け1400V CoolSiC MOSFETモジュールです。
onsemi NVMTS1D1N08XNチャネルパワーMOSFET
onsemi NVMTS1D1N08XNチャネルパワーMOSFET
09/17/2026
低オン抵抗とソフトリカバリボディダイオードを備えた80Vの車載MOSFET。
Vishay SQD50P04-09L40V自動車用PチャネルパワーMOSFET
Vishay SQD50P04-09L40V自動車用PチャネルパワーMOSFET
09/16/2026
本デバイスは、自動車、電力分配、および産業用電力制御アプリケーションに最適です。
Texas Instruments JFE2325デュアル低電力NチャンネルJFET
Texas Instruments JFE2325デュアル低電力NチャンネルJFET
09/09/2026
エレクトレットコンデンサマイクロホン（ECM）など、非常に高いインピーダンスのセンサとの使用を想定しています。
IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
1200 V、13.5 mΩ、147 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
IXYS IXSH110N120L3KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH110N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
1200 V、18 mΩ、112 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
IXYS IXSH65N120L3KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH65N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
1200V、35mΩ、67AのSiC MOSFETで、産業用スイッチモード電源への使用に最適です。
IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
1200 V、55 mΩ、48.3 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
IXYS IXSH100N120L3KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH100N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
1200 V、21 mΩ、102 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
Microchip Technology HV-D3 mSiC® パワーモジュール
Microchip Technology HV-D3 mSiC® パワーモジュール
09/01/2026
データセンターやその他の高電圧電力アプリケーション環境へのSSTの適合・導入を簡素化し、加速させます。
onsemi NXH011F120M3F2 SiC MOSFET
onsemi NXH011F120M3F2 SiC MOSFET
08/25/2026
11mΩ のオン抵抗と 1200V 定格を備えたフルブリッジ EliteSiC MOSFET モジュール
onsemi 80VシングルNチャンネルパワーMOSFET
onsemi 80VシングルNチャンネルパワーMOSFET
08/25/2026
RDS(on)により、導通損失を最小化し、低Qgや静電容量によりドライバ損失を最小化します。
STMicroelectronics STGI15C60S 三相インバータ & IGBT SLLIMM
STMicroelectronics STGI15C60S 三相インバータ & IGBT SLLIMM
08/19/2026
ハードスイッチング回路で最大20kHzで動作するモータドライブに最適です。
iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
08/12/2026
Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.
STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaNトランジスタ
STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaNトランジスタ
08/11/2026
極めて低い導通損失、大電流、超高速スイッチング動作を実現
STMicroelectronics STH4N150-2AG NチャンネルパワーMOSFET
STMicroelectronics STH4N150-2AG NチャンネルパワーMOSFET
08/10/2026
自動車アプリケーション向けの高レベルの電圧と堅牢性を確保するように設計されています。
STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaNトランジスタ
STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaNトランジスタ
08/10/2026
高効率、大電力のスイッチングアプリケーション向けに設計されています。
onsemi NVNJWS1K6N061L NチャンネルMOSFET
onsemi NVNJWS1K6N061L NチャンネルMOSFET
07/30/2026
低オン抵抗（RDS(on））および低ゲートしきい値を備え、ESD 保護を統合しています。
onsemi EMD4DXV6 デジタルトランジスタ (BRT)
onsemi EMD4DXV6 デジタルトランジスタ (BRT)
07/30/2026
単一のデバイスとその外部抵抗バイアスネットワークを置き換えるように設計されています。
ROHM Semiconductor 600Vスーパージャンクション（SJ）MOSFET
ROHM Semiconductor 600Vスーパージャンクション（SJ）MOSFET
07/21/2026
優れた放熱性能を実現するコンパクトで薄型のパッケージオプションです。
onsemi GaNEXUS™ GaN FET
onsemi GaNEXUS™ GaN FET
07/08/2026
低ゲート&出力 高速スイッチング&効率性充電実現するワイドバンドギャップ材質特性。
Vishay MXP075 MaxSiC® 750V NチャネルMOSFET
Vishay MXP075 MaxSiC® 750V NチャネルMOSFET
06/19/2026
750Vのドレイン・ソース間電圧、高速スイッチング速度、および3μsの短絡耐量時間を特徴としています。
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