Infineon Technologies CoolSiC™ G2炭化ケイ素MOSFET
インフィニオン (Infineon) CoolSiC™ G2 炭化ケイ素 MOSFETは、優れたSiC性能を可能にしつつ、すべての一般的な電力回路構成（AC/DC、DC/DC、およびDC/AC）において最高の品質基準を満たします。SiC MOSFETは、Si 代替品と比較して、太陽光発電インバータ、エネルギー貯蔵システム、EV充電、電源、およびモータ駆動向けにさらなる性能を提供します。Infineon CoolSiC G2 MOSFETは、熱能力を維持しながら半導体チップ性能を向上させる一般的な課題を克服する独自のXT相互接続技術（例：ディスクリート筐体TO-263-7、TO-247-4）をさらに進化させます。G2の熱性能は12%向上しており、チップの性能指数を、堅牢なSiC性能レベルへと押し上げています。
特徴
- CoolSiC MOSFET G2
- 低RDS(on)
- 大規模な製品ポートフォリオ
- 堅牢性オプション
アプリケーション
- SMPS
- ソーターPVインバータ
- エネルギー貯蔵とバッテリ形成
- EV充電インフラ
- モータドライブ
- ストリングインバータ
- 汎用ドライブ（GPD）
- オンラインUPS/産業用UPS
ビデオ
インフォグラフィック
関連製品
Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2シリコンカーバイドMOSFET
車載用・産業用認定済みのMOSFET。最大ドレイン・ソース間オン抵抗78mΩ。
Infineon Technologies CoolSiC™ 車載用 750V G2 MOSFET
電気自動車（EV）アプリケーションの厳しい要求を満たすように設計されています。
Infineon Technologies HybridPACK™ Drive G2モジュール
ハイブリッド車や電気自動車のトラクション用途向けに設計されたコンパクトなパワーモジュール
Infineon Technologies CoolSiC™ 400V G2シリコンカーバイドMOSFET
AIサーバー向けPSUのAC/DC段、および太陽光発電やエネルギー貯蔵システムでの使用に特化して開発されました。
Infineon Technologies CoolSiC™ 650V G2炭化ケイ素MOSFET
エネルギー損失の低減を可能にすることで炭化ケイ素の持つ性能を最大限に引き出します。
Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2 炭化ケイ素MOSFET
パワーエレクトロニクス・アプリケーション向けの高性能ソリューションです。
公開: 2024-04-10
| 更新済み: 2025-11-24