IXYS IX4 ウルトラジャンクションパワーMOSFETs
IXYS IX4ウルトラジャンクションパワーMOSFETは、アバランシェ定格のNチャンネルエンハンストモードMOSFETで、200Vドレイン-ソース間絶縁破壊電圧が備わっています。IXYS IX4ウルトラジャンクションパワーMOSFETは、TO-220（IXTP）またはTO-263（IXTA）パッケージに収められており、86Aまたは94A連続ドレイン電流が備わっています。
特徴
- 1-channel
- Nチャンネルエンハンスメントモード
- 定格アバランシェ
- 200Vドレイン-ソース間絶縁破壊電圧
- 連続ドレイン電流
- 86A（IXTA86N20X4、IXTP86N20X4）
- 94A（IXTA94N20X4、IXTP94N20X4）
- RDS(on) ドレイン-ソース間抵抗
- 10.6mΩ（IXTA94N20X4、IXTP94N20X4）
- 13mΩ（IXTA86N20X4、IXTP86N20X4）
- パッケージ
- TO-220 (IXTP86N20X4、IXTP94N20X4、747-IXTP120N20X4)
- TO-263（IXTA86N20X4、IXTA94N20X4）
- TO-247 (747-IXTH120N20X4)
回路図
関連のあるMOSFET
IXYS IXT 200V X4ウルトラジャンクションパワーMOSFET
10.6mΩ、13mΩ、または21mΩのRDS（on）) と最大200Vのドレイン-ソース間電圧を備えたNチャネルデバイス。
公開: 2022-01-12
| 更新済み: 2022-03-16