ROHM Semiconductor RF4G100BG NチャンネルパワーMOSFET
ROHM Semiconductor RF4G100BG NチャンネルパワーMOSFETは、14.2mΩという低オン抵抗を特徴とする40V、10A MOSFETで、スイッチングアプリケーションに最適です。RF4G100BGには、27ns（標準）逆回復時間および18nC（標準）逆回復電荷があります。デバイスの消費電力は2.0Wで、-55℃～+150の広い動作ジャンクションおよび保存温度範囲が特徴です。
ROHM Semiconductor RF4G100BG NチャンネルパワーMOSFETは、高出力・小型モールド2.0mm x 2.0mm DFN2020-8S（HUML2020L8）パッケージでご用意があり、実装スペースが限られているアプリケーションに最適です。
特徴
- 14.2mΩ低オン抵抗（RDS(on)）
- 40Vドレイン-ソース間電圧（VDSS）
- ±10A連続ドレイン電流（ID）
- +40Aパルスドレイン電流（IDP）
- ±20Vゲート-ソース間電圧（VGSS）
- 10Aアバランシェ電流、シングルパルス（IAS）
- 8.4mJアバランシェエネルギー、シングルパルス（EAS）
- 2.0W消費電力（PD）
- 27ns逆回復時間（trr）
- 18nC逆回復電荷（Qrr）
- -55℃～+150℃動作ジャンクションおよび保存温度範囲
- 2.0mm x 2.0mm DFN2020-8S（HUL2020L8）パッケージ
- Pbフリーメッキ
- ハロゲンフリー、RoHS準拠
アプリケーション
- スイッチング
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ピン番号と内部回路
パッケージ外形
公開: 2021-11-29
| 更新済み: 2022-03-11