onsemi NTP110N65S3HF 650V 30A SUPERFET® IIIパワーMOSFET
onsemi NTP110N65S3HF 650V 30A SUPERFET® IIIパワーMOSFETは、際立った低オン抵抗と低ゲート電荷性能を目的に充電バランス・テクノロジが活用されている、高電圧スーパージャンクション（SJ）MOSFETです。充電バランス技術によって導通損失が最小化され、優れたスイッチング性能が実現し、極端的なdV/dt率に耐える機能を有効にできます。NTP110N65S3HF SUPERFET III MOSFETは、は、ミニチュア化と高効率を必要とするパワー・システムに最適です。また、NTP110N65S3HFは、逆回復ボディダイオード性能向けに最適化されており、機能が搭載されており、必要な追加部品の削減とシステム信頼性の向上がもたらされています。
NTP110N65S3HF SUPERFET IIIパワーMOSFETは、TO-220-3Lパッケージで販売されています。このデバイスは、無鉛でRoHSに準拠しています。
特徴
- 700V @ TJ= 150°C
- Typical RDS(on)= 98mΩ
- 超低ゲート電荷（Typ. Qg= 62nC)
- 低効率出力キャパシタンス（Typ. COSS(eff.)= 522μF）
- 優れたボディダイオード性能（低Qrr、堅牢なボディダイオード）
- 最適化された容量
- 低温度動作での高いシステム信頼性
- 低スイッチング損失
- LLCおよび位相シフト完全ブリッジ回路での信頼性の高いシステム
- 低ピークVdsおよび低Vgs発振
- 100%アバランシェ試験済
- パッケージのタイプ: TO-220-3L
- 無鉛、RoHS準拠
アプリケーション
- テレコム/サーバ電源
- 産業用電源
- EV充電器
- UPS /ソーラー
ゲート電荷テスト回路
抵抗スイッチング・テスト回路
誘導スイッチング・テスト回路
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