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STMicroelectronics NチャンネルMDmesh K6パワーMOSFET

STMicroelectronics Nチャネル MDmesh K6パワーMOSFETは、ツェナー・ダイオードによる保護、および100%アバランシェ試験済みが特徴です。これらのパワーMOSFETは、ドレイン・ソース間ブレークダウン電圧800V（最小値）、ゲート・ソース間電圧±30V、動作時接合部温度-55°C～150°Cです。MDmesh K6 Power MOSFETは、ダイオード回復時の最大電圧上昇率5V/ns、ダイオードの逆回復電流の最大傾き100A/µs、MOSFET dv/dt耐量120V/nsも特徴です。代表的なアプリケーションは、タブレット / ノートPC / オールインワンPC / フライバック・コンバータ用アダプタ、LED照明などです。

特徴

  • MDメッシュK6テクノロジー
  • 超低ゲート電荷
  • 100%アバランシェ試験済み
  • ツェナー保護

仕様

  • 800V最低ドレイン－ソース間絶縁破壊電圧
  • ゲート・ソース間電圧 ±30V
  • 5V/nsピークダイオードリカバリ電圧スロープ
  • 100A/µs ピークダイオード回復電流スロープ
  • 120V/ns MOSFET dv/dt耐久性
  • -55°C～150°C動作接合部温度範囲

アプリケーション

  • ノートブックとAIO
  • フライバックコンバータ
  • タブレット用アダプタ
  • LED照明

試験回路

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部品番号 データシート 取り付け様式 パッケージ/ケース Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Qg - ゲート電荷 Pd - 電力損失 チャネルモード パッケージ化 下降時間 上昇時間 標準電源切断遅延時間 ターンオン時の標準遅延時間
STD80N340K6 STD80N340K6 データシート SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) 12 A 340 mOhms 17.8 nC 92 W Enhancement Reel 11 ns 4.9 ns 34 ns 13 ns
STF80N240K6 STF80N240K6 データシート Through Hole TO-220FP-3 16 A 220 mOhms 25.9 nC 27 W Enhancement Tube 12 ns 5.3 ns 47.8 ns 16 ns
STF80N1K1K6 STF80N1K1K6 データシート Through Hole TO-220FP-3 5 A 1.1 Ohms 5.7 nC 21 W Enhancement Tube 14 ns 4.3 ns 22 ns 7.4 ns
STF80N600K6 STF80N600K6 データシート Through Hole TO-220FP-3 7 A 600 mOhms 10.7 nC 23 W Enhancement Tube 12.6 ns 4.1 ns 28.2 ns 9 ns
STD80N240K6 STD80N240K6 データシート SMD/SMT 16 A 220 Ohms 25.9 nC 105 W Enhancement Reel
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公開: 2024-06-25 | 更新済み: 2026-01-21