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STMicroelectronics SiC MOSFET

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結果: 59

適用されたフィルタ:

ブランド = STMicroelectronics

取り付け様式

パッケージ/ケース

トランジスタ極性

チャンネル数

Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧

Id - 連続ドレイン電流

Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース

Vgs - ゲート-ソース間電圧

Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧

Qg - ゲート電荷

最低動作温度

最高動作温度

Pd - 電力損失

チャネルモード

認証

すべてリセット

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在庫

通常は在庫あり

取り扱い中

新製品

RoHS対応品

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部品番号

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: ¥2,414
30在庫
600取寄中

メーカ部品番号
SCT055W65G3-4AG

Mouser 部品番号
511-SCT055W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets について

データシート

30在庫

600取寄中

¥2,414

¥1,921.8

¥1,744.1

¥1,150.8

最低： 1
複数： 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 200 C

210 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

SCT070H120G3AG
STMicroelectronics
1: ¥1,988.6
79在庫

メーカ部品番号
SCT070H120G3AG

Mouser 部品番号
511-SCT070H120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet について

データシート

79在庫

カットテープ

¥1,988.6

¥1,388.8

¥1,194.8

リール

¥1,114.9

最低： 1
複数： 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
1: ¥1,845.2
876在庫

メーカ部品番号
SCT040H65G3AG

Mouser 部品番号
511-SCT040H65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets について

データシート

876在庫

カットテープ

¥1,845.2

¥1,279.6

¥1,080.7

リール

¥1,009

MouseReel が利用可能

最低： 1
複数： 1

: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

40 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

39.5 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package

SCT1000N170
STMicroelectronics
1: ¥1,447.4
476在庫

メーカ部品番号
SCT1000N170

Mouser 部品番号
511-SCT1000N170

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package

STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets について

データシート

476在庫

¥1,447.4

¥991

¥733.5

最低： 1
複数： 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

6 A

1 Ohms

- 10 V, + 25 V

2.1 V

14 nC

- 55 C

+ 200 C

120 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an

SCT20N120AG
STMicroelectronics
1: ¥2,591.7
394在庫

メーカ部品番号
SCT20N120AG

Mouser 部品番号
511-SCT20N120AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an

STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets について

データシート

394在庫

¥2,591.7

¥1,912

¥1,326.8

表示

最低： 1
複数： 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

20 A

239 mOhms

- 20 V, + 20 V

3.5 V

45 nC

- 55 C

+ 200 C

175 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

SCT011HU75G3AG
STMicroelectronics
1: ¥4,568.9
3在庫
1,200取寄中
新製品

メーカ部品番号
SCT011HU75G3AG

Mouser 部品番号
511-SCT011HU75G3AG

新製品

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets について

データシート

3在庫

1,200取寄中

カットテープ

¥4,568.9

¥3,165.5

¥2,995.9

リール

¥2,797.1

MouseReel が利用可能

最低： 1
複数： 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

750 V

110 A

15 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.2 V

154 nC

- 55 C

+ 175 C

652 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT025H120G3AG
STMicroelectronics
1: ¥2,992.7
1,997予想2026/10/12
新製品

メーカ部品番号
SCT025H120G3AG

Mouser 部品番号
511-SCT025H120G3AG

新製品

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets について

データシート

1,997予想2026/10/12

カットテープ

¥2,992.7

¥2,123.9

¥1,853.3

リール

¥1,512.6

最低： 1
複数： 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ¥4,200.5
600予想2026/07/20

メーカ部品番号
SCT015W120G3-4AG

Mouser 部品番号
511-SCT015W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets について

データシート

600予想2026/07/20

¥4,200.5

¥2,683

¥2,352.1

¥2,334.2

見積り

最低： 1
複数： 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

15 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

167 nC

- 55 C

+ 200 C

673 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

SCT027HU65G3AG
STMicroelectronics
1: ¥2,203.8
400予想2026/08/31
新製品

メーカ部品番号
SCT027HU65G3AG

Mouser 部品番号
511-SCT027HU65G3AG

新製品

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets について

データシート

400予想2026/08/31

カットテープ

¥2,203.8

¥1,644.7

¥1,423

リール

¥1,258.4

最低： 1
複数： 1

: 600

AEC-Q100

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

SCT040H120G3AG
STMicroelectronics
1: ¥2,076.6
996予想2026/09/07

メーカ部品番号
SCT040H120G3AG

Mouser 部品番号
511-SCT040H120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets について

データシート

996予想2026/09/07

カットテープ

¥2,076.6

¥1,449.1

¥1,260

リール

¥1,176.9

最低： 1
複数： 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

SCT070HU120G3AG
STMicroelectronics
1: ¥2,303.2
1,199予想2026/07/02

メーカ部品番号
SCT070HU120G3AG

Mouser 部品番号
511-SCT070HU120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet について

データシート

1,199予想2026/07/02

カットテープ

¥2,303.2

¥1,667.5

¥1,379

リール

¥1,287.7

最低： 1
複数： 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an

SCT10N120AG
STMicroelectronics
1: ¥1,499.6
2,394予想2027/04/12

メーカ部品番号
SCT10N120AG

Mouser 部品番号
511-SCT10N120AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an

STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets について

データシート

2,394予想2027/04/12

¥1,499.6

¥881.8

¥769.4

最低： 1
複数： 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

12 A

500 mOhms

- 10 V, + 25 V

3.5 V

22 nC

- 55 C

+ 200 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

SCT040W120G3-4
STMicroelectronics
1: ¥2,032.6
100取寄中
新製品

メーカ部品番号
SCT040W120G3-4

Mouser 部品番号
511-SCT040W120G3-4

新製品

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets について

データシート

100取寄中

¥2,032.6

¥1,217.6

¥1,048.1

最低： 1
複数： 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package

SCTHC250N120G3AG
STMicroelectronics
1: ¥12,293.5
1取寄中
新製品

メーカ部品番号
SCTHC250N120G3AG

Mouser 部品番号
511-SCTHC250N120G3AG

新製品

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package

データシート

1取寄中

¥12,293.5

¥9,934.9

¥9,315.5

最低： 1
複数： 1

Through Hole

STPAK-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

239 A

10.5 nC

- 10 V, + 22 V

4.4 V

304 nC

- 55 C

+ 200 C

994 W

AEC-Q100

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A

SCT011H75G3AG
STMicroelectronics
1: ¥4,802
非在庫リードタイム 21 週間
新製品

メーカ部品番号
SCT011H75G3AG

Mouser 部品番号
511-SCT011H75G3AG

新製品

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A

データシート

非在庫リードタイム 21 週間

カットテープ

¥4,802

¥3,949.5

¥3,478.4

¥3,325.2

リール

¥2,821.5

表示

最低： 1
複数： 1

: 1,000

AEC-Q100

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A

SCT014HU65G3AG
STMicroelectronics
600: ¥2,371.7
非在庫リードタイム 22 週間
新製品

メーカ部品番号
SCT014HU65G3AG

Mouser 部品番号
511-SCT014HU65G3AG

新製品

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A

データシート

非在庫リードタイム 22 週間

リール

¥2,371.7

表示

最低： 600
複数： 600

: 600

AEC-Q100

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A in a TO-LL package

SCT014TO65G3
STMicroelectronics
1,800: ¥1,713.1
非在庫リードタイム 20 週間
新製品

メーカ部品番号
SCT014TO65G3

Mouser 部品番号
511-SCT014TO65G3

新製品

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A in a TO-LL package

データシート

非在庫リードタイム 20 週間

リール

¥1,713.1

表示

最低： 1,800
複数： 1,800

: 1,800

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3-7
STMicroelectronics
1,000: ¥1,421.4
非在庫リードタイム 21 週間
新製品

メーカ部品番号
SCT018H65G3-7

Mouser 部品番号
511-SCT018H65G3-7

新製品

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets について

データシート

非在庫リードタイム 21 週間

リール

¥1,421.4

最低： 1,000
複数： 1,000

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

-10 V, 22 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 21.5 mOhm typ., 60 A

SCT018HU65G3AG
STMicroelectronics
1: ¥3,431.2
非在庫リードタイム 22 週間
新製品

メーカ部品番号
SCT018HU65G3AG

Mouser 部品番号
511-SCT018HU65G3AG

新製品

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 21.5 mOhm typ., 60 A

データシート

非在庫リードタイム 22 週間

カットテープ

¥3,431.2

¥2,722.1

¥2,343.9

リール

¥2,148.3

表示

最低： 1
複数： 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

29 mOhms

-10 V, 22 V

4.2 V

82.5 nC

- 55 C

+ 175 C

388 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A

SCT018W65G3AG
STMicroelectronics
600: ¥1,975.6
非在庫リードタイム 21 週間
新製品

メーカ部品番号
SCT018W65G3AG

Mouser 部品番号
511-SCT018W65G3AG

新製品

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A

データシート

非在庫リードタイム 21 週間

¥1,975.6

表示

最低： 600
複数： 600

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

-10 V, 22 V

4.2 V

76 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package

SCT019W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ¥3,431.2
非在庫リードタイム 22 週間
新製品

メーカ部品番号
SCT019W120G3-4AG

Mouser 部品番号
511-SCT019W120G3-4AG

新製品

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package

データシート

非在庫リードタイム 22 週間

¥3,431.2

¥2,744.9

¥2,495.5

¥2,469.5

表示

最低： 1
複数： 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

90 A

26 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

120 nC

- 55 C

+ 200 C

486 W

AEC-Q100

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A

SCT020H120G3AG
STMicroelectronics
1: ¥3,005.7
非在庫リードタイム 21 週間
新製品

メーカ部品番号
SCT020H120G3AG

Mouser 部品番号
511-SCT020H120G3AG

新製品

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A

STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets について

データシート

非在庫リードタイム 21 週間

カットテープ

¥3,005.7

¥2,407.5

¥2,081.5

¥2,079.9

リール

¥1,840.3

最低： 1
複数： 1

: 1,000

AEC-Q100

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

SCT025W120G3-4
STMicroelectronics
600: ¥2,270.6
非在庫リードタイム 22 週間
新製品

メーカ部品番号
SCT025W120G3-4

Mouser 部品番号
511-SCT025W120G3-4

新製品

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

データシート

非在庫リードタイム 22 週間

¥2,270.6

表示

最低： 600
複数： 600

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

-10 V, 22 V

4.2 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in a TO-LL package

SCT027TO65G3
STMicroelectronics
1,800: ¥1,499.6
非在庫リードタイム 20 週間
新製品

メーカ部品番号
SCT027TO65G3

Mouser 部品番号
511-SCT027TO65G3

新製品

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in a TO-LL package

データシート

非在庫リードタイム 20 週間

リール

¥1,499.6

表示

最低： 1,800
複数： 1,800

: 1,800

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

SCT040W120G3
STMicroelectronics
600: ¥2,107.6
非在庫リードタイム 32 週間
新製品

メーカ部品番号
SCT040W120G3

Mouser 部品番号
511-SCT040W120G3

新製品

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

データシート

非在庫リードタイム 32 週間

¥2,107.6

最低： 600
複数： 600

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

-10 V, 22 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

10.5 nC
10.5 mOhms
12 mOhms
15 mOhms
15.8 mOhms
18 mOhms
22 mOhms
26 mOhms
27 mOhms
28 mOhms
29 mOhms
37 mOhms
39.3 mOhms
40 mOhms
54 mOhms
63 mOhms
67 mOhms
72 mOhms
87 mOhms
100 mOhms

14 nC
22 nC
29 nC
31 nC
32 nC
36 nC
37 nC
37.5 nC
39.5 nC
41 nC
42.5 nC
45 nC
48.6 nC
51 nC
54 nC
56 nC
61 nC
73 nC
76 nC
77 nC

120 W
150 W
175 W
185 W
210 W
221 W
223 W
234 W
236 W
240 W
266 W
278 W
288 W
300 W
312 W
313 W
375 W
385 W
388 W
398 W