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SiCが加速する電化革命:次世代パワーエレクトロニクスの新たな扉を開く Marcel Consée
その利点にもかかわらず、SiCパワーエレクトロニクスの採用には独自の課題が伴います。SiCウェハーの製造は、シリコンよりも複雑で高価です。しかし、結晶成長、デバイス製造、およびサプライチェーンの拡張における最近の進歩により、歩留まりが急速に向上し、コストが削減されています。SiCパワーエレクトロニクスは、現代のエネルギーおよび輸送システムの電化のための変革をもたらす技術です。その高効率、コンパクト性、熱性能は、新たな設計の柔軟性を可能にします。生産が成熟し、コストが低下するにつれて、SiCは、より電化され、エネルギー効率が高く、持続可能な未来へのシフトを加速し続けるでしょう。

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