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Mouser Blog | Japan
マウザー・エレクトロニクスの公式ブログ
ラベル: ADI LT8418, ADI LTC7890, EV充電器, GaN FET, GaN HEMT, GaNパワーデバイス, GaN対SiC, IGBT, システム効率, シリコンMOSFET, スイッチング速度, パワーエレクトロニクス, ワイドバンドギャップ半導体, 産業用オートメーション, 電動化革命, 電力密度, 熱分布
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