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onsemi NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET
onsemi NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET
04/14/2026
Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.
ROHM Semiconductor 高密度SiCパワーモジュール
ROHM Semiconductor 高密度SiCパワーモジュール
04/10/2026
TRCDRIVE パック™、DOT-247、HSDIP20パッケージは高性能な電力変換に貢献します。
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
04/07/2026
Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
04/06/2026
高速スイッチングアプリケーション向けの低Rg設計のデュアルNチャンネルMOSFETです。
Vishay VS-HOT200C080 200A 80VパワーMOSFETモジュール
Vishay VS-HOT200C080 200A 80VパワーMOSFETモジュール
04/02/2026
このデバイスは、標準のディスクリートソリューションと比べて基板占有面積を最大15%削減します。
Toshiba Nチャネル/PチャネルパワーMOSFET
Toshiba Nチャネル/PチャネルパワーMOSFET
03/31/2026
高速スイッチング、電源管理スイッチ、DC-DCコンバータ、およびモータドライバに最適です。   
STMicroelectronics STL059N4S8AGパワーMOSFET
STMicroelectronics STL059N4S8AGパワーMOSFET
03/31/2026
Smart STripFET F8テクノロジーで設計された40V Nチャンネル拡張モード対応パワーMOSFETです。
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60VパワーMOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60VパワーMOSFET
03/27/2026
堅牢なパワーMOSFETテクノロジーにより、OptiMOS 5を超える優れた性能を提供します。 
Infineon Technologies NチャンネルOptiMOS™ 7 25VパワーMOSFET
Infineon Technologies NチャンネルOptiMOS™ 7 25VパワーMOSFET
03/27/2026
アプリケーションに最適化された性能により、データセンター、サーバー、AIのピーク性能を実現します。
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
03/24/2026
Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.
Renesas Electronics TP65B110HRU 双方向スイッチ (BDS)
Renesas Electronics TP65B110HRU 双方向スイッチ (BDS)
03/20/2026
650Vおよび110mΩノーマリオフ型窒化ガリウム (GaN)。コンパクトなTOLTパッケージで供給。
Infineon Technologies 中電圧CoolGaN™双方向スイッチ
Infineon Technologies 中電圧CoolGaN™双方向スイッチ
03/17/2026
これらのデバイスは、さまざまなアプリケーションでバッテリ切断スイッチとして機能するのに最適です。
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE パック™ 成形モジュール付き
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE パック™ 成形モジュール付き
03/17/2026
定格電圧1,200Vが特徴で、41.6mm × 52.5mm のパッケージに収められており、第4世代SiC MOSFETが統合されています。
Infineon Technologies OptiMOS™ 8パワーMOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 8パワーMOSFET
03/17/2026
Nチャンネル、ノーマルレベルの80Vまたは100V対応MOSFETで、非常に低いオン抵抗［RDS(ON)］を備えています。
onsemi NVMFD5873NL デュアルNチャネル、パワーMOSFET
onsemi NVMFD5873NL デュアルNチャネル、パワーMOSFET
03/13/2026
コンパクトで効率的なデザインを目的として設計され、高い熱性能を備える。
Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.
Qorvo QPD2560L300WGaN/SiC HEMT
Qorvo QPD2560L300WGaN/SiC HEMT
03/09/2026
1.0GHz～1.5GHzの周波数帯域で動作する、要求の厳しいLバンドアプリケーション用に設計されています。
Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
03/06/2026
Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.
EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03/05/2026
Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.
EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03/05/2026
Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.
Infineon Technologies NチャンネルOptiMOS™ 7 80VパワーMOSFET
Infineon Technologies NチャンネルOptiMOS™ 7 80VパワーMOSFET
03/05/2026
80V、N チャネルのノーマルレベルデバイスで、PG‑TDSON‑8 パッケージにおいて優れた熱抵抗特性を備えています。
EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03/05/2026
Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.
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