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マウザー・エレクトロニクスの公式ブログ


次世代システムの効率性と堅牢性を実現するGaN
に 11月 14, 2024 に All, Power 〜によって JJ DeLisle
JJ DeLisle
GaNパワーデバイスは、効率の向上、スイッチング損失の低減、高速化により、従来のシリコン技術を越える性能を実現しています。GaNの優れた性能と堅牢性は、EV充電器や産業用オートメーションなどの用途におけるパワーエレクトロニクスに革命をもたらしています。
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ラベル: ADI LT8418, ADI LTC7890, EV充電器, GaN FET, GaN HEMT, GaNパワーデバイス, GaN対SiC, IGBT, システム効率, シリコンMOSFET, スイッチング速度, パワーエレクトロニクス, ワイドバンドギャップ半導体, 産業用オートメーション, 電動化革命, 電力密度, 熱分布

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